1997 Fiscal Year Annual Research Report
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08555079
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| Research Institution | Kanazawa Institute of Technology |
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Principal Investigator |
福田 一郎 金沢工業大学, 工学部, 教授 (10064445)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
板谷 尚雄 グンゼ(株), 滋賀研究所, 主任研究員
古川 修二 グンゼ(株), 滋賀研究所, 研究員
高田 新三 金沢工業大学, 工学部, 教授 (70064467)
南 内嗣 金沢工業大学, 工学部, 教授 (70113032)
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| Keywords | 複合酸化物 / 透明導電膜 / スパッタ薄膜 / マグネトロンスパッタリング / 透明電極 / 機能性薄膜 |
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| Research Abstract |
本研究は、既存の透明導電膜よりさらに優れた性能(例えば,低い抵抗率)や全く新規な性能(例えば,無反射膜)を有する新しい透明導電膜の実現を目的としている。
平成9年度は,高周波/直流マグネトロンスパッタリング装置を用いて,前年度開発した透明導電膜材料であるMgIn_2O_4,ZnSnO_3,InGaO_3,Zn_2In_2O_5及びIn_4Sn_3O_<12>の任意の組み合わせからなる複合金属酸化物を組成を変えて作製した。例えば,Zn_2In_2O_5-In_4Sn_3O_<12>系やZnSnO_3-In_4Sn_3O_<12>系のような透明導電性が実現できる3元化合物の組み合わせからなる複合金属酸化物では,例外なく全組成範囲で透明導電薄膜を作製できた。また,組成を変えて作製したZn_2In_2O_5-ZnSnO_3,Zn_2In_2O_5-InGaO_3,・・・,ZnSnO_3-In_4Sn_3O_<12>系透明導電性薄膜の電気的(抵抗率、移動度、キャリア密度)、光学的(透過、反射スペクトル)、結晶学的及び化学的(耐薬品性)特性を評価すると共に,物理化学分析を実施した。また,これらの薄膜の光学特性より,バンドギャップ・エネルギー(Eg)及び屈折率を算出した。さらに、化学的(耐薬品性)特性評価から酸及びアルカリ溶液に対する薄膜のエッチング速度を決定した。
結果として,総ての複合金属酸化物透明導電膜の電気的特性,光学的特性,化学的特性(エッチング速度),バンドギャップ・エネルギー及び屈折率等の物性及び透明導電性は組成の変化と共に両材料の間を単調に変化することが分かった。そして,複合金属酸化物透明導電膜は特定用途に適合する最適な性能を組成の制御によって実現できることを明らかにした。
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[Publications] T.Minami, T.Kakumu, Y.Takeda, S.Takata: "Preparation of transparent conducting Zn_2In_20_5 films by d.c. magnetron sputtering" Thin Solid Films. (in press).
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[Publications] T.Minami, T.Kakumu, K.Shimokawa, S.Takata: "New transparent conducting Zn0-In_20_3-Sn0_2 thin films prepared by magnetron sputtering" Thin Solid Films. (in press).
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[Publications] T.Minami, Y.Takeda, S.Takata, T,Kakumu: "Preparation of transparent conducting In_4Sn_30_<12> thin films by DC magnetron sputtering" Thin Solid Films. 308-309. 13-18 (1997)
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[Publications] T.Minami, H.Kumagai, T.Kakumu, A.Takata, M.Ishii: "Highly transparent and conductive Zn0-In_20_3 thin films prepared by atmospheric pressure chemical vapor deposition" J.Vac.Sci.Technol.A. 15(3). 1069-1073 (1997)
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[Publications] T.Minami, Y.Takeda, T.Kakumu, S.Takata, I.Fukuda: "Preparation of highly transparent and conducting Ga_20_3-In_20_3 films by direct current magnetron sputtering" J.Vac.Sci.Technol.A. 15(3). 958-962 (1997)
