1996 Fiscal Year Annual Research Report

高エネルギー放射線用固体画像検出器

Research Project

Project/Area Number	08555084
Section	試験
Research Institution	Shizuoka University
Principal Investigator	畑中義式静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (60006278)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	冨田康弘浜松ホトニクス(株), 電子管事業部, 研究員河合敏昭浜松ホトニクス(株), 電子管事業部, 部門長,研究員中西洋一郎静岡大学, 電子工学研究所, 助教授 (00022137)
Keywords	固体X線画像検出器 / 高エネルギー放射線 / イメージングデバイス / 薄膜トランジスタ / CdSe / CdTeヘテロ接合 / ポジトロンCT / 即時性高解像度X線検出器
Research Abstract	本年度の研究は大別すると、1.ポジトロンCT用または硬X線用CT用の検出器として必要条件を満足する設計、2.固体感光層のCdTeとCdSeのヘテロ接合とTFT回路との融合の原理的動作の確認及び製作プロセスの確立、3.TFTスイッチ回路構成の設計及び作製プロセスの確立である。当初はポジトロンCTの検出器としての必要条件を実験的に調査し、現在実用化されたCdSeとCdSとのヘテロ接合を用いたX線用イメージセンサーを基本としてCdSをCdSeに置き換えたときのヘテロ接合の作製方法を実験的に確かめた。MOCVD法を用いた薄膜作製を行い、基盤に垂直な一軸配向性多結晶ヘテロ接合膜を得た。ジメチルカドミウムとセレン化水素、もしくはジエチルテルルを原料としたCVDにより300℃程度の基板温度で良質の一軸配向多結晶膜が得られ、良好な光電特性を持つことが確かめられた。また、このようにして作製されたCdSe/CdTeヘテロ接合は熱処理により特性改善されることも確認された。TFT回路設計においては、上記ヘテロ接合による光電変換部と走差回路とが一体となった一次元のリニアー素子の設計を行った。ガラス基板上にクロムまたはタンタルゲート電極のパタ-ニングをしボトムゲートを形成した。次に絶縁層としてスパッタリングにより窒化シリコンまたは酸化シリコンを形成、タンタルゲートの場合はタンタルの酸化層を形成した。その上にTFTのドレイン及びソースをクロムによって形成し、その後上記MOCVD法でCdSeを成長した。CdSe/CdTeヘテロ接合X線受光層と組み合わせた評価は次年度行う。

Research Products
(6 results)

All Other

All Publications (6 results)

[Publications] Y.Hatanaka et.al.: "ZnSe crystal growth by radical assisted MOCVD" Appl.Surf.Sci.100/101. 621-624 (1996)
[Publications] T.Aoki et.al.: "Growth of p-type ZnSe Films by Radical Assisted MOCVD Method" Bult.Res.Inst.Elect.Shizuoka Univ.30・3. 69-72 (1996)
[Publications] T.Aoki et.al.: "Growth of p-type ZnSe thin films by radical assisted MOCVD method" Appl.Surf・Sci.92. 132-137 (1996)
[Publications] A.H.Jayatissa et.al.: "Optoelectronic Propaties of as-depsosited and annealed P-doped micro-crystalline Si films deposited by rf glow discharge" Semicond.Sci.Technol.11. 1882-1887 (1996)
[Publications] A.H.Jayatissa et.al.: "Spectroellipsometric Study of Poly-Si Films Grown on Sapphire by RF Glow Discharge at Low Temperature" Phys.Stat.Sol.(a). 158. 265-273 (1996)
[Publications] 荒川知徳 et.al.: "p型ZnSeのNEA状態を用いた電子放出エミッタ" 信学技報. ED96-143. 55-60 (1996)

1996 Fiscal Year Annual Research Report

高エネルギー放射線用固体画像検出器

Principal Investigator

畑中 義式 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (60006278)

Research Products

[Publications] Y.Hatanaka et.al.: "ZnSe crystal growth by radical assisted MOCVD" Appl.Surf.Sci.100/101. 621-624 (1996)

[Publications] T.Aoki et.al.: "Growth of p-type ZnSe Films by Radical Assisted MOCVD Method" Bult.Res.Inst.Elect.Shizuoka Univ.30・3. 69-72 (1996)

[Publications] T.Aoki et.al.: "Growth of p-type ZnSe thin films by radical assisted MOCVD method" Appl.Surf・Sci.92. 132-137 (1996)

[Publications] A.H.Jayatissa et.al.: "Optoelectronic Propaties of as-depsosited and annealed P-doped micro-crystalline Si films deposited by rf glow discharge" Semicond.Sci.Technol.11. 1882-1887 (1996)

[Publications] A.H.Jayatissa et.al.: "Spectroellipsometric Study of Poly-Si Films Grown on Sapphire by RF Glow Discharge at Low Temperature" Phys.Stat.Sol.(a). 158. 265-273 (1996)

[Publications] 荒川知徳 et.al.: "p型ZnSeのNEA状態を用いた電子放出エミッタ" 信学技報. ED96-143. 55-60 (1996)

畑中義式静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (60006278)