1996 Fiscal Year Annual Research Report
| Project/Area Number |
08555085
|
|---|
| Section | 試験 |
|---|
| Research Institution | Kyoto University |
|---|
Principal Investigator |
小野寺 秀俊 京都大学, 工学研究科, 助教授 (80160927)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
松澤 昭 松下電器産業, 半導体研究センター, チームリーダ
小林 和淑 京都大学, 工学研究科, 助手 (70252476)
MOSHNYAGA Va 京都大学, 工学研究科, 講師 (40243050)
田丸 啓吉 京都大学, 工学研究科, 教授 (10127102)
|
|---|
| Keywords | MOSFET / ばらつきモデル / 統計的モデル化 / 共通モデル / パラメータ抽出 / 統計的設計最適化 / 回路シミュレーション / 歩留り |
|---|
| Research Abstract |
1.統計的特性モデル化手法開発における到達目標の設定
LSI設計の各種段階で用いられるMOSFETモデルの種類と詳細度について調査し、統計的モデル化の対象とすべきモデルの選定を行なった。回路シミュレータSPICEにて用いられているモデルを対象とすることとした。また、各設計段階での統計的設計最適化を行う際の必要となる特性ばらつきモデルの統計的モデル化精度に対する要求仕様を明確化した。
2.共通モデルの設計
統計的なばらつき特性を表現するための共通モデルを設計した。各種MOSFETモデルへのばらつき情報の変化を容易に行うために、共通モデルの構造は、必要な最小限の複雑さを持つものとした。共通モデルの作成を検討したMOSFETの特性は、閾値電圧、有効電流利得、飽和電圧、飽和電流、チャネル長変調、基板電流である。共通モデルにおける変動パラメータは、キャリアの移動度、チャネル長、チャネル幅、チャネル表面のイオン濃度、酸化膜厚である。
3.共通モデルパラメータ抽出手法の開発
MOSFETの実測特性より、共通モデルにおける各種パラメータを抽出する手法を検討した。物理的意味に裏付けられたパラメータについては、出来る限り解析的な方法でパラメータ値を抽出する。共通モデルにおけるばらつき情報は、モデルパラメータの分布関数やパラメータ間の相関を表す結合確率密度関数で表現する。
|
Research Products
(1 results)
