1996 Fiscal Year Annual Research Report
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08640431
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Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Research Institution | Osaka Institute of Technology |
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Principal Investigator |
伊藤 憲昭 大阪工業大学, 情報科学部, 教授 (90022996)
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| Keywords | 石英 / アモルファス物質 / 励起子 / 自己捕獲 / 欠陥生成 / 分子軌道法 / 螢光 |
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| Research Abstract |
アモルファス物質の光照射効果には,(1)蛍光,(2)欠陥生成,(3)構造変化の3現象が通常観測される.最近になって,アモルファス石英について,蛍光が自己捕獲励起子の再結合によることが示され,他のアモルファス物質でも同様の考え方が定着しつつある.欠陥生成と構造変化も,励起子の再結合によるという提案が断片的になされつつあるが,いまだ実験的証拠はいまだ得られていない.本研究の目的は,結晶およびアモルファスSiO_2クラスターに半経験的分子軌道法を適用し,基底状態および励起状態の波動関数ならびに全エネルギーを計算する。これによって、(1)結晶とアモルファス状態での励起子の緩和形態の比較,(2)アモルファス状態での欠陥生成の機構、(3)基底状態への遷移後の構造変化の機構を明らかにする。
半経験的分子軌道法計算コードを用いて、石英結晶における自己捕獲励起子の構造を調べた。従来自己捕獲励起子の構造に関する計算がなされているが、新たな計算によって、3個の自己捕獲励起子の安定点が存在することが明らかになった。これらの安定点は、等価ではなく、1個が最もエネルギーが低い。アモルファス構造でのこれらの安定点の挙動について計算を続行中である。
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[Publications] S.Iwai,T.Tikizaki,A.Nakamura K.Tanimura,N.Itoh A.Shluger: "One-Center Small Polaron as Short Lived Precursosrs in Self-Trapped Processes of Holes and Electron-Hole pairs in Alkali Halides" Phys.Rev.Lett.76. 691-1693 ((1996))
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[Publications] I-K Yu,J.Kanasaki,A.Okano,Y.Nakai and N.Itoh: "Photon Energy Dependence of the Laser-Induced Emission Yield of Si Atoms from the Si(100)2×1 Surface" J.Phys.Condens.Matter. 8. 1475-1484 ((1996))
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[Publications] K.Ishikawa,J.Kanasaki,Y.Nakai and N.Itoh: "Laser-Induced Bond Breaking of the Adatoms of the Si(111)-7×7 Surface" Surf.Sci.349. 153-1158 ((1996))
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[Publications] M.Yamada,J.Kanasaki,N.Itoh and T.Williams: "Low Energy Laser Photoelectron Study of Defect States on Cleaved Si(111)2×1 Surfaces" Surf.Sci.349. 107-1110 ((1996))
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[Publications] N.Itoh: "Self-Trapped Exciton Model of Heavy-Ion Track Registration" Nucl Instrum Methods B. 116. 33-36 ((1996))
