1996 Fiscal Year Annual Research Report
3d遷移金属化合物の電子構造のスピン分極修正直交化平面波法による研究
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08640441
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Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Research Institution | Utsunomiya University |
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Principal Investigator |
北村 通英 宇都宮大学, 工学部, 助教授 (90161497)
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| Keywords | 電子構造 |
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| Research Abstract |
平成8年度に実施することを計画していた、スピン分極自己無撞着(SP-SCF)原子構造計算に基礎を置く、マフィン・ティンポテンシャル場内でのパウリ方程式を用いたスピン分極修正直交化平面波(SP-MOPW)法に基づいたバンド構造計算に関するプログラムの開発は概ね終了した。現在はこれを、電荷に対する自己無撞着の条件を満足するように改良するための作業を計画しており、その第一段階として、自己無撞着電荷(SCC)拡張ヒュッケル強結合(XHTB)法に基づいたバンド構造計算を実行し、これを反強磁性相も存在するペロブスカイト型酸化物に適用した。この結果については、現在、Ferroelectricsという雑誌に投稿中である。
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[Publications] A.Stashans,M.Kitamura: "A STUDY OF HYDRCGEN DOPED SEMICONDUCTORS USING THE INDO METHOD" Solid state Communications. 99. 583-588 (1996)
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[Publications] A.Stashans,M.Kitamura: "HYDROGENS IN SEMICONDUCTORS" J.Phys.Chem Solids. (印刷中).
