1997 Fiscal Year Annual Research Report
溶融塩を媒体とした電析法によるシリサイド金属間化合物膜の作製
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08650831
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| Research Institution | Akita University |
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Principal Investigator |
原 基 秋田大学, 鉱山学部, 助教授 (50156494)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
中川 時子 秋田大学, 鉱山学部, 教務職員 (40180252)
佐藤 芳幸 秋田大学, 鉱山学部, 助手 (90240671)
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| Keywords | 溶融塩 / 電析 / モリブデンシリサイド / シリコン / モリブデン / 塩化物 |
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| Research Abstract |
本研究は、高温溶融塩を媒体とした電析法によりMoならびにSiを電析させ、同時に進行するこれらの合金化を利用してモリブデンシリサイド膜の作製を試みたもので、とくに溶媒塩の組成および分極電位などの電析条件を調査した。
本研究で得られた主な成果を要約すると次の通りである。
1.NaCl-KCl塩にK_2SiF_6を添加した浴中での定電位カソード分極により、Siが電析し、これが基板Niと合金化してニッケルシリサイド膜が生成した。
2.NaCl-KCl塩にLi_2MoO_4を添加した浴中で定電位カソード分極しても、Li_2Mo_2O_5が電析し、金属Moまで還元が進行しなかった。これに対し、Li_2MoO_4とともに第二添加塩としてB_2O_3、AlF_3、KPO_3およびK_2SiF_6を添加した浴中、低電位域において定電位カソード分極することにより、Moが電析した。この場合、AlF_3およびK_2SiF_6を第二添加塩とした場合、良好な形態の電析膜が認められた。
3.NaCl-KCl塩にLi_2MoO_4とAlF_3およびK_2SiF_6を添加した浴中においてMoを電析した後、NaCl-KCl塩にK_2SiF_6を添加した浴中においてSiを電析させることにより、MoSi_2およびMo_5Si_3層を生成させることができた。
4.NaCl-KCl塩にK_2SiF_6を添加した浴中においてSiを電析させた後、NaCl-KCl塩にLi_2MoO_4とK_2SiF_6を添加した浴中においてMoを電析させることにより、ニッケルシリサイド膜上にMo_3Si膜を生成させることができた。
以上のように本研究は、塩化物溶融塩を媒体とした電析法によりモリブデンシリサイド膜が作製できることを明らかにしたもので、高機能材料の表面被覆技術の開発に新たな知見と指針を与えるものある。
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