飛行時間型スタティックSIMSによる表面分子イオンの定量的検出に関する研究

1996 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 08650965
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Research Institution: Seikei University
• Principal Investigator: 工藤 正博 成蹊大学, 工学部, 教授 (10114464)
• Keywords: TOF-SIMS / Q-SIMS / XPS / 表面定量 / スタティッSIMS

Research Abstract

ポリテトラフロロエチレン(TEFLON),ポリエチレンテレフタレート(PET),ポリカプロラクタム(NYLON6)などいくつかの有機材料についてS-SIMS測定中のイオンビーム照射によって引き起こされる損傷を,TOF-SIMS,Q-SIMS,XPSを用いて検討した。イオン照射によって生じる二次イオン種の強度変化を試料の化学構造と関連付けて解析した。また,イオン照射による表面の化学構造変化を,測定したXPSスペクトルの波形解析と定量分析によって解析した。その結果,XPS測定によって得られた化学状態の変化やS-SIMSスペクトル中の主なピークの生成などの解釈に,半経験的分子軌道法を用いた計算が有効であることが分かった。

Research Products

• [Publications] M.Kudo,T.Nishihara,T.Hoshi and K.Endo: "Radiation Damage on Some Organic Materials Investigated by TOF-SIMS,Q-SIMS and XPS" Secondary Ion Mass Spoctrometry. XI. 779-782 (1996)