水素終端されたシリコン上の超微粒子の成長メカニズム

1996 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 08750013
• Research Institution: Tokyo Institute of Technology
• Principal Investigator: 大島 義文 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助手 (80272699)
• Keywords: 水素終端 / 超微粒子

Research Abstract

本研究を達成するため、以下に上げる2点について実験を行い、成果をおさめた。ひとつは、透過型電子顕微鏡で観察を行うため、清浄な表面をもった厚さ10nm程度の薄い薄膜を作成することである。試料作成方法、試料の固定方法、シニング方法などノウハウを確立し、清浄な表面をもつシリコン薄膜を観察できるようにした。もう一つは、微粒子作成方法の検討である。平坦な表面持つ材料としてグラファイトを選び、グラファイト基板にクロムを数nm程度蒸着することを試みた。蒸着方法としては、electron bombardment方式を採用した。これは、クロムが高融点金属であるためである。蒸着装置を作製し、基板温度300度でクロムを蒸着したところ、結晶構造がA15型で微粒子が生成していることがわかった。得られた像は、パソコンに入力し、形状や格子間隔の測定を行った。これにより、クロム微粒子は、グラフィアイト基板にエピタキシャル成長していることがわかった。