電荷密度波の並進運動と動的記憶現象としてのパルス幅記憶効果

1996 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 08874022
• Research Institution: Hokkaido University
• Principal Investigator: 岡島 吉俊 北海道大学, 工学部, 助手 (00213934)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 山谷 和彦 北海道大学, 工学部, 教授 (80002054)
• Keywords: 擬一次元電気伝導体 / 電荷密度波 / 並進運動 / 記憶効果 / パルス電場 / ピン止め状態

Research Abstract

本年度の研究実施結果は以下の通りである。
1 擬一次元電気伝導体NbSe_3の単結晶試料を作製した。作製した試料の電気抵抗率の温度依存性を測定し、NbSe_3であることを確認した。また、電荷密度波の並進運動に対するしきい電場と残留抵抗比の値から、パルス幅記憶効果の測定に耐え得る試料であることを確認した。
2 NbSe_3単結晶は、幅20μm、厚さ1μm程度と、極めて微小であるため、実体顕微鏡下で取り扱う必要がある。また、外力に弱く劣化を起こしやすいため、その取り扱いには細心の注意を要する。NbSe_3単結晶の取り扱いを練習し、習熟した。
3 NbSe_3のパルス電場応答を測定するために新たに購入したディジタイジングオシロスコープと任意波形ジェネレータの操作を練習し、習熟した。
4 パルス電場応答測定のためのクライオスタット、高速広帯域プリアンプおよび自動測定プログラムを、現在作製中である。