1997 Fiscal Year Annual Research Report
光刺激ルミネッセンス現象を利用した多機能光メモリ素子の研究
| Project/Area Number |
08875014
|
|---|
| Research Institution | Kanazawa Institute of Technology |
|---|
Principal Investigator |
南戸 秀仁 金沢工業大学, 工学部, 教授 (30133466)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
那須 昭一 金沢工業大学, 工学部, 教授 (50247433)
南 内嗣 金沢工業大学, 工学部, 教授 (70113032)
|
|---|
| Keywords | 光刺激ルミネッセンス / 光メモリ / 論理演算 / 光連想メモリ / 薄膜 |
|---|
| Research Abstract |
最終年度の本年は、輝尽発光現象を利用した光メモリ素子用媒体として昨年度見い出したSrS:Eu,Sm、CaS:Eu,SmおよびCa_xSr_<1-x>S:Eu,Sm蛍光体における輝尽発光特性の評価および光メモリ素媒体としてのこれら蛍光体のセラミックスおよび薄膜の最適作製条件を見い出すことを目的とするともに、輝尽発光現象を利用した光メモリによる論理演算素子への応用の検討を行った。その結果、以下のような成果が得られた。
(1)SrS:Eu蛍光体が光メモリ素子用媒体として、優れた特性を示すことを明らかにできたとともに、SrS:Eu蛍光体セラミックスの最適作製条件を決定することができた。
輝尽発光現象を利用した光メモリ素子媒体を用いて、AND,ORあるいはNORなどの論理演算をはじめとして、18種類の論理演算をおこなうことが可能であることを実証し、実際に試作した光メモリ素子の輝尽発光現象を用いて、それらの演算を実験的に試みることによって、これまでにない新しい光メモリ素子を実現できることを明らかにできた。
助成による研究は本年度で一応終了するが、引き続いて、上述した成果をもとに、研究をさらに発展させる予定である。
|
Research Products
(2 results)
-
[Publications] 南戸秀仁: "電子トラップ光メモリーの基礎-輝尽発光の物理-" 光学. 26・7. 348-353 (1997)
-
[Publications] H.Nanto,S.Nasu et al.: "Smart Photostimulable Phosphor Materials for Enasable and Rewritable Optical Memory" Proceedings of SPIE. 3241. 447-455 (1998)
