1997 Fiscal Year Annual Research Report
新非線形媒質からの超短パルスレーザー誘起共鳴振動によるTHz電磁波発生と反応制御
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08875015
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| Research Institution | The Institute of Physical and Chemical Research |
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Principal Investigator |
宮澤 貴士 理化学研究所, 光反応研究チーム, 基礎科学特別研究員 (10241259)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
猿倉 信彦 岡崎国立共同研究機構, 分子科学研究所, 助教授 (40260202)
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| Keywords | テラヘルツ / 超短パルスレーザー / 磁場 / 偏光 |
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| Research Abstract |
分子の大振幅振動や結晶のフォノン振動はテラヘルツ領域にあることは良くしられていることだが、簡便な光源があまりないために、この分野の研究はあまり進んでいない。そこで、まず、簡便で高強度のテラヘルツ光源の探索を行った。昨年度は、800nmの超短パルス光をガリウムヒ素に照射することにより、テラヘルツが発生し、磁場を加えることにより、強度が増加することを見出した。本年度はインジウムヒ素について行った。
チタンサファイアレーザーの800nm(70fs,80MHz)の光をドープしていないインジウムヒ素の基板に45度の角度で照射し、インジウムアンチモンのボロメーターで検出したところ、テラヘルツの電磁波の発生が確認された。レーザーの入射方向と平行に磁場を加えたところ、以前報告したガリウムヒ素と同様にテラヘルツ放射の増強が確認された。マイケルソン干渉計でこのテラヘルツ放射の分光を行ったところ、1THzと0.7THzにピークを有するスペクトルがえられた。次にテラヘルツ放射の偏光の磁場依存性について検討した。0.25テスラの磁場下では、テラヘルツ放射はほぼ円偏光となっていたが、それより、高い磁場下ではほぼ直線偏光となった。反対方向の磁場を加えたところ、位相は逆転した。現在、テラヘルツ発生機構の詳細について検討している。
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[Publications] T.Miyazawa,et al: "Photodegradation of Polysilane Polymers by Nonresonant Two-Photon Excitation" J.Am.Chem.Soc.120. 1084-1085 (1998)
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[Publications] T.Miyazawa,et.al: "Remarkable Suppression of [2+2] Cycloaddition during Nonresonant Two-photon Photoreaction of trans-stilbene in the Presence of Tetramethylethylene" Photochem Photobiol.66. 566-568 (1997)
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[Publications] K.Ebihara,et.al: "Ultraviolet luminescence and electro-luminescence of polydihexylsilane" J.Lumin.72-74. 43-45 (1997)
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[Publications] Y.Tajima: "First Observation of Inframolecular Charge-Transfer Emission from Jet-Coold" J.Am.Chem.Soc.119. 7400-7401 (1997)
