2009 Fiscal Year Annual Research Report
ゲルマニウムアンチモンテルル系材料の超格子構造を用いたデータストレージデバイス
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08F08510
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| Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
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Principal Investigator |
富永 淳二 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 近接場光応用工学研究センター, 研究センター長
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
ROBERT Simpson 独立行政法人産業技術総合研究所, 近接場光応用工学研究センター, 外国人特別研究員
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| Keywords | 超格子 / 不揮発性メモリ / 光メモリ / 相変化 / ゲルマニウム・アンチモン・テルル / GST225 |
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| Research Abstract |
ゲルマニウム-アンチモン-テルル合金による相変化メモリに関する新原理を具現化するため、真空成膜装置を用いて20層-100層構造のゲルマニウム-テルル原子薄膜層とアンチモン-テルル原子薄膜層を、それぞれコンピューターで予め計算した厚さで交互に積層して超格子と呼ばれる人工的にしか得られない薄膜を作製した。これらの超格子薄膜の物理特性を評価する目的で、新たにレーザーを用いたスイッチング速度測定装置を作製し、これを用いて超格子薄膜と通常の合金膜とのスイッチ速度を比較測定した。その結果、我々の期待した通り、新原理に基づくゲルマニウム原子の集団的一次元動作が確認され、これまでの相変化固体メモリよりも遥かに速い動作速度が達成できることを見いだした。さらに、実際のデバイス上に超格子構造膜を形成し、電気的な動作確認もおこなった。その結果、従来の相変化デバイスに比べて1/10程度までスイッチ動作に必要なエネルギーを低減できることがわかった。
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