2009 Fiscal Year Annual Research Report
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08J00687
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
喜多 祐介 Osaka University, 工学研究科, 特別研究員(DC1)
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| Keywords | 炭素-シアノ結合切断 / シリルイソシアニドの脱離 / ロジウム / アルケニル化 / 炭素-炭素結合形成 / ビニルシラン / Mizoroki-Heck反応 |
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| Research Abstract |
これまで、ロジウム触媒による炭素-シアノ結合切断を経る触媒反応の開発を行ってきた。これらの触媒反応はシリルイソシアニドの脱離という珍しい機構を経て進行していると考えている。昨年度、ニトリルの分子内に求電子剤を導入することにより、炭素-シアノ結合切断を経て炭素-炭素結合形成反応が進行することを見出した。この反応は、炭素-シアノ結合切断により生成するアリールロジウム種が求電子剤と反応することで進行する。つまりニトリルがアリールロジウム種の前駆体となり得ることを示唆している。しかし、ニトリルのカップリングパートナーとして、分子内求電子剤しか用いることが出来なかった。今回、ニトリルのシリル化反応の反応系中にビニルシランを添加することにより、ニトリルとビニルシランとのMizoroki-Heck型のカップリング反応が進行することを見出した。このニトリルのアルケニル化反応の結果より、分子間でのニトリルと求電子剤のカップリングが可能となった。これまでの検討結果では、求電子剤としてビニルシランしか用いることが出来ないが、生成物であるアルケニルシランは様々な反応に用いることが可能である。例えば、アルケニルシランをNBSで処理することによりアルケニルブロマイドへと変換することが可能である。このアルケニルブロマイドへの変換を利用して、逐次的にアリール基とビニル基を導入することでフェニレンビニレン骨格を構築することにも成功した。
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