高指数面において負の電子親和力を持つ近赤外光電面の開発

1997 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 09044152
• Research Institution: Shizuoka University
• Principal Investigator: 皆方 誠 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (80174085)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): ジョイス B.A. ロンドン大学, インペリアルカレッジ, 教授 ; 野村 卓志 静岡大学, 電子工学研究所, 助手 (90172816) ; 石川 賢司 静岡大学, 電子工学研究所, 助教授 (50022140)
• Keywords: 光電子デバイス / 結晶成長 / 分子線エピタキシ / 走査トンネル顕微鏡 / メサパターン基板 / InGaAs / GaAs / 多重量子井戸 / 表面その場観察

Research Abstract

共同研究先である英国ロンドン大学インペリアルカレッジのB.A.ジョイス教授を訪訪れ、今後の共同研究に関する打ち合わせ、および光電子デバイス、メサパターン基板上の成長とデバイス応用、高指数面基板を用いた結晶成長技術に関する研究討諭を行った。このグループが所有している分子線エピタキシ(MBE)-走査トンネル顕微鏡(STM)複合装置を用いて共同で実験を行った。また、仏リベール社において分子線エピタキシ装置に関する調査を行った。
ジョイス教授、およびドイツの結晶成長研究所のP.ルドルフ教授を招へいして、GaAs国際ワークショップを開催し、化合物半導体の結晶成長と表面に焦点を当てた研究討論を行った。
本共同研究に関連して、共同研究者の一人である野村は、英国ブリティッシュカウンシルより英国に短期滞在するための旅費及び滞在費の支援を得ることができた。
光デバイス作成の基礎として、現有のMBE装置を用いてInGaAs/GaAs多重量子井戸構造を製作する技術を確立した。さらに電子線描画、化学エッチングを用い、GaAs基板上に5μmから1μm程度の大きさのメサパターンを形成した。英国ロンドン大学において、このメサ基板上にMBE成長を行い、STMによるその場観察を試みた。その結果、As安定表面に相当する2X4再構成構造に対応する原子像が観察された。レジストを用いてメサパターン形成処理を行った基板を用いても、MBEによる結晶成長及びSTMによる原子的スケールの表面その場観察が可能であることを示した。

Research Products

• [Publications] 皆方 誠: "光導波路" 光学. 26・4. 206-210 (1997)
• [Publications] M.Minakata: "LiNbO Broad-Band Optical Modulators" Proceedings of Jointlnt.1 Conf.on Advanced Science and Technology. 175-178 (1997)
• [Publications] T.Nomura: "InGaAs/GaAs Multi Quantum Well Grown by Molecular Beam Epitaxy" Proceedings of Joint Int.l Conf.on Advanced Science and Technology. 103-106 (1997)
• [Publications] 皆方 誠: "完全速度整合超高速LiNbO_3裏溝付き光変調器" 静岡大学電子工学研究所研究報告. 32. 33-40 (1997)
• [Publications] 皆方 誠: "完全速度整合超高速LiNbO_3リッジ型光変調器" 静岡大学電子工学研究所研究報告. 32. 41-48 (1997)
• [Publications] 皆方 誠: "電子ビーム分極反転法による反転しきい値と点列形状形成の検討" 静岡大学電子工学研究所研究報告. 32. 49-57 (1997)
• [Publications] 皆方 誠: "マイクロオプトメカトロニクスハンドブック(分担執筆)非線形光学材料" 朝倉書店, 8 (1997)