高指数面において負の電子親和力を持つ近赤外光電面の開発

1998 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 09044152
• Research Institution: Shizuoka University
• Principal Investigator: 皆方 誠 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (80174085)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): パリー G ロンドン大学, インペリアルカレッジ, 教授 ; ジョイス B.A. ロンドン大学, インペリアルカレッジ, 教授 ; 野村 卓志 静岡大学, 電子工学研究所, 助手 (90172816) ; 石川 賢司 静岡大学, 電子工学研究所, 助教授 (50022140)
• Keywords: 光電子デバイス / 結晶成長 / 分子線エビタキシ / 走査トンネル顕微鏡 / メサパターン基板 / InGaAs / GaAs / 多重量子井戸 / 表面その場観察

Research Abstract

本年度は、共同研究先である英国ロンドン大学インペリアルカレッジのB.A.ジョイス教授、G.パリー教授、およびドイツの結晶成長研究所のP.ルドルフ教授を訪れ、光電子デバイス、メサパターン基板上の成畏とデバイス応用、高指数面基板を用いた結晶成長技術に関する研究討論を行った。ロンドン大学が所有している分子線エピタキシ(MBE)-走査トンネル顕微鏡(STM)複合装置を用いて共同で実験を行った。
また、ジョイス教授を招へいして、前年に引き続き「第2回GaAs国際ワークショップ」を開催し、化合物半導体の結晶成長と表面に焦点を当てた研究討論を行った。
本共同研究に関連して、共同研究者の一人である野村は、英国ブリティッシュカウンシルより旅費及び滞在費の支援を得て、静岡大学の負担で同行した粟野技官と共に5月末に1週間ロンドン大学インペリアルカレッジに滞在し、ジョイス教授の御協力を得てMBE-STM複合装置を借用して実験を行った。また、野村は11月のインペリアルカレッジ及び結晶成長研究所訪問に同行し、この際静岡大学工学振興基金の援助を得た。
光デバイス作成の基礎として、現有のMBE装置を用いてInGaAs/GaAs多重量子井戸構造を製作し、成長条件のひとつであるV/III比が光学特性に与える影響を調べ、V/III=3.8において最大のPL強度を得た。また、リソグラフィを用いて、GaAs基板上に5μm程度の大きさのメサパターンを形成し、英国ロンドン大学において評価を行った。その結果、MBEによる結晶成長及びSTMによる原子的スケールの表面その場観察が可能であることが判明した。

Research Products

• [Publications] M.Minakata: "New Method of Domain Inversion for High-efficency SHG Blue Light Source" Prooeedings of Joint Intl.Conf.on Advanced Science and Technology. 161-164 (1998)
• [Publications] J.Zhong: "Study of Domain Inversion on LiTaO_3/LiNbO_3 Quasi-phase Matching Second Harmonic Generation Device" Prooeedings of Joint Intl Conf.on Advanced Science and Technology. 165-168 (1998)
• [Publications] M.Minakata: "The Perfect Velocity Matched High Speed LiNbO_3 Optical Modulators with an Etched Back Slot" Prooeedings of Joint Intl Conf.on Advanced Science and Technology. 194-197 (1998)
• [Publications] M.Minakata: "Optical directional coupler switch with domain inversion" Prooeedings of Joint Intl Conf.on Advanced Science and Technology. 202-205 (1998)
• [Publications] T.Nomura: "Fabrication and characteristic of InGaAs/GaAs MQW grown by MBE" Prooeedings of Joint Intl Conf.on Advanced Science and Technology. 206-209 (1998)
• [Publications] T.Nomura: "Effect of pattern size on fine structure formed on GaAs(001)" Prooeedings of Joint Intl Conf.on Advanced Science and Technology. 210-213 (1998)
• [Publications] M.Minakata: "Observation of Domain Inversion by Coherent Detection" Prooeedings of Joint Intl Conf.on Advanced Science and Technology. 245-248 (1998)
• [Publications] 皆方 誠: "分極反転を用いた方向性結合型光スイッチに関する研究" 静岡大学電子工学研究所究報告. 33. 61-68 (1998)
• [Publications] 皆方 誠: "Coherent Detection法による分極構造の観察" 静岡大学電子工学研究所究報告. 33. 69-76 (1998)
• [Publications] 皆方 誠: "高効率SHG青色光源を目指した新しい分極反転法" 静岡大学電子工学研究所究報告. 33. 77-84 (1998)
• [Publications] 野村卓志: "MBE法によるInGaAs/GaAs MQW作製と評価" 静岡大学電子工学研究所研究報告. 33. 85-89 (1998)