1998 Fiscal Year Annual Research Report
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09304035
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
高橋 敏男 東京大学, 物性研究所, 助教授 (20107395)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
中谷 信一郎 東京大学, 物性研究所, 助手 (40198122)
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| Keywords | X線回折 / 表面 / 界面 / 磁性 / 構造解析 |
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| Research Abstract |
X線回折法は、最近、表面・界面の構造研究に利用されるようになった。我々は、X線回折法をいち早く表面の構造解析に応用し、種々の金属を1原子層程度Si(111)表面に蒸着した系についてその構造を解析してきた。さらに、回折強度を絶対反射率の尺度で解析することによって、散乱に寄与する原子の密度を正確に決め、表面構造をより明確に決定することに成功している。これまでの実績を活かして、今後、表面・界面X線回折の分野で大きなテーマとなることが予想される磁気構造の研究を進めることが本研究の目的である。
本年度は4年計画の2年目であり、おもに装置の性能向上、試料作製にあたった。試料マニピュレーターは、X線回折散乱の実験では、入射角および面内方位を制御する必要がある。このための回転機構2軸をステッピングモータにより遠隔操作できるように整備し、回転角度の校正および再現性の試験を行った。さらに、試料の温度を低温から高温まで連続して使えるように整備し、マイナス1000°Cから800°Cまでの温度範囲で変えられるようにした。この時、低温側を犠牲にすれば900°Cまで加熱できることが分かった。次に、鉄、コバルト、ガドリニウムなどを蒸着できる蒸着セルを整備し、蒸着速度をモニターできるようにした。また、散乱X線を検出するための機構の設計を行った。現在、白木法により表面処理したSi表面上に上記の磁性金属を原子層制御しエピタキシャル成長させる実験を行っている。
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