1997 Fiscal Year Annual Research Report
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09440151
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
中谷 信一郎 東京大学, 物性研究所, 助手 (40198122)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
高橋 敏男 東京大学, 物性研究所, 助教授 (20107395)
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| Keywords | Si(111)√<3>×√<3>-Au |
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| Research Abstract |
本研究の目標は、結晶基板上に薄膜状に成長させた金属に対してX線ホログラフィーの手法を適用することである。十分な精度でX線ホログラフィーの実験を行うためには大型放射光施設の強力なX線の利用が不可欠となる。本年度は準備段階として、超高真空蒸着装置を作製して、研究室で予備的な実験を行った。
まず超高真空条件下においてSi(111)√<3>×√<3>-Auの系をサンプルとして作製した。このサンプル表面に電子線を入射し、表面Au原子が放出する特性X線の強度分布の測定を試みた。特性X線、基板結晶のブラック角を満たす方向に強く回折され、コッセル線とよばれる線状の強度分布を形成する。
X線ホログラフィーはコッセル線のほぼ逆の過程となす事ができる。したがってこの予備実験が成功すれば、励起源を電子線から放射光のX線に切り替えるだけで容易にX線ホログラフィーの測定が行えるはずである。現時点では明瞭なコッセル線を観測できていないが、強度とS/N比の観点からは十分な結果を得ている。明確な結果を得るためには、平坦で歪みのないサンプルをつくると同時に、特性X線のアナライザーの精度と操作性を向上させる必要があると考えられる。
X線ホログラフィー
放射光
コッセル線
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