1997 Fiscal Year Annual Research Report
昇華近接法による高品質SiCの高速エピタキシャル成長
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09450011
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| Research Institution | Kyoto Institute of Technology |
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Principal Investigator |
西野 茂弘 京都工芸繊維大学, 工芸学部, 教授 (30089122)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
白藤 立 京都工芸繊維大学, 工芸学部, 助手 (10235757)
林 康明 京都工芸繊維大学, 工芸学部, 助教授 (30243116)
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| Keywords | シリコンカーバイド / SiC / 昇華法 / エピタキシャル成長 / 近接法 / 昇華エピアキシャル成長 / SiC薄膜 / SiCデバイス |
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| Research Abstract |
近接法により、SiCのエピタキシャル成長を行なった。原料は3C-SiCの高純度な多結晶プレートを,基板はAcheson基板のjust面,及びoff角のついた市販の6H-SiC基板を用いた.
just基板を用いた成長では,表面モフォロジーが面極性や基板付近の過飽和度などに依存することがわかった.またSi面上の方が比較的スムーズなモフォロジーが得られた.C面上の成長速度はSi面上のそれより速かったが,表面は荒れる傾向を示した.しかしjust基板上では,成長層全面には鏡面性は得ることはできなかった.off基板上への成長では、成長速度の40〜200μm/hであった.また活性化エネルギーは147kcal/molであった.基板にoff角を導入した結果,成長層全面に鏡面性を得ることができた.しかし顕微鏡で観察すると,stepーbunchingが生じた.また反応空間内にTaを入れてやることでstep bunchingが見られなくなったことからstep-bunchingの形成には気相中の過剰なC成分が関わっている可能性がある.ラマン分析の結果,エピ層中のキャリア濃度が10^<19>cm^<-3>以上と非常に高いと推測された.PL測定の結果,成長速度が大きいエピ層からN中性ドナー束縛励起子発光が見られた.このことから成長速度を大きくすることにより,不純物濃度の低下に期待が持てる.
Schottky diodeを製作しその特性を調べたが,得られた耐圧はわずか12Vであった.表面の平坦性の向上,キャリア濃度の低減が課題である.
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Research Products
(3 results)
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[Publications] T.Yoshida et.al.: "Epitaxy of High Quality SiC Layers by CST" Proceedings of ICSC3-N-97,Stockholm,Sweden,TuP-16,1997. TuP-16 (1997)
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[Publications] M.Sasaki et al.: "Defect Formation Mechanism of Bulk SiC" Proceedings of ICSC3-N-97,Stockholm,Sweden,TuP-12,1997. TuP-16 (1997)
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[Publications] S.Nishino et al.: "Epitaxial Growth of High Quality SiC by Sublimation Close Space Technique" Abstract of MRS 1997 Fall Meeting,1997,Boston,USA E5.11 p.155. 155 (1997)
