1997 Fiscal Year Annual Research Report
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09450096
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| Research Institution | Keio University |
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Principal Investigator |
長坂 雄次 慶應義塾大学, 理工学部, 助教授 (40129573)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
長島 昭 慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (80051514)
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| Keywords | 溶融シリコン / 熱物性 / 計測技術 / 分子シミュレーション / 標準データ |
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| Research Abstract |
本年度は,実験ではリプロンを利用した表面光散乱法を高温融体に適用し,分子シミュレーションではGibbsアンサンブルモンテカルロ法の適用の可能性を検討した。得られた成果は以下のようにまとめられる。
(1)現有の表面光散乱法の装置を,1500℃以上の高温でより大きな信号を得るため,赤外線イメージ炉および光学系の改良を行い,新たな装置を作製した。
(2)高温での精度向上のため,リプロンの波数選択のための新たな回折格子を導入した。溶融塩化ナトリウムを用いた予備実験により,1000℃以上での表面張力および粘性率の精度の向上が認められた。
(3)溶融シリコンをGibbsアンサンブルモンテカルロ法で扱うための,ポテンシャルの検討を行い,気液相平衡線図と臨界点の推算を行った。その結果,臨界温度は約7800K,臨界密度は約850kgm^<-3>と推算された。
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[Publications] 本田尚大: "Gibbsアンサンブル法によるシリコンの相平衡シミュレーション" 第34回日本伝熱シンポジウム講演論文集. 34. 415-416 (1997)
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[Publications] N.Honda: "Vapor-liquid Equilibria of Silicon by the Gibbs Ensemble Simulation" Proc.13th Symposium on Thermophysical Properties. 13. (1997)
