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1997 Fiscal Year Annual Research Report

GaAsを種結晶として用いたバルクGaN単結晶基板の作製

Research Project

Project/Area Number 09555002
Research InstitutionUniversity of Tsukuba

Principal Investigator

長谷川 文夫  筑波大学, 物質工学系, 教授 (70143170)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 碓井 彰  NEC光, 超高周波デバイス研究所, 担当部長
末益 崇  筑波大学, 物質工学系, 助手 (40282339)
KeywordsGaN / ハライド気相成長 / 立方晶GaN / バルクGaN / ナイトライド / 青色レーザー・ダイオード / HVPE / 厚膜エピタキシャル成長
Research Abstract

平成9年度、既に企業によりInGaN/GaN系レーザ・ダイオードの室温連続発振3000時間が達成された。ここで残っている問題は以下の3つである。1.バルクGaN基板がない、2.p型GaNへのオーミック電極の接触抵抗が高く、信頼性が低い、3.劈開面が得られない。本研究の目的は、この内の1.と3.を解決することである。
課題1.と3.を同時に解決する為には、立方晶バルクGaN基板が得られれば良い。初年度はハライドVPE法によるGaAs基板上への立方晶GaNの厚膜成長について検討した。
まず新しい窒素源であるtBHyを用いて高品質立方晶GaN buffer層を成長した。この上にHVPE法で成長された厚膜立方晶GaN中の六方晶GaN混入割合は、2μmで1%以下、5μmでも10%、10μmで40%であった。GSMBEやMOVPEで成長された立方晶GaNに於いては、六方晶GaNが10%以上混入する成長膜厚が1.5μmでことを考えると、HVPEが厚膜立方晶GaNの成長に適していることを示している。
しかしながら、このような高品質立方晶GaNのPL発光強度は非常に弱かった。SIMS測定の結果、これはHVPE時に基板裏面からAsが混入しているためであることが判った。基板を浮かせて裏面にもHVPE bufferを付けるようにした結果、Asの混入は抑制されPL発光強度は2桁近く増大した。また、立方晶GaN成長の最適成長温度は、800℃から850℃と50℃も高くなった。Asはsurfactant効果により、立方晶GaN最適成長温度を低下させ、立方晶GaNの品質を改善するが、PL発光強度を大幅に低下させる事が判った。

  • Research Products

    (5 results)

All Other

All Publications (5 results)

  • [Publications] 竹内 淳: "Azimuth Dependence of The Crystal Quality of GaN Grown on (100) GaAs by MOMBE and Its Improvement by Annealing" Institute of Physics Conference Series. 155・3. 183-186 (1997)

  • [Publications] 土屋 晴稔: "Surface Preparation and Growth Condition Dependence of Cubic GaN Layer on (001) GaAs by Hydride Vapor Phase Epitaxy" Materials Research Society Symposium Proceeding. 468. 63-67 (1997)

  • [Publications] 米村 正吾: "Comparison between Monomethyl-hydrazine and ECR Plasma Activated Nitrogen as a Netrogen Source for CBE Growth of GaN" Journal of Crystal Growth. (発表予定).

  • [Publications] 矢口 哲也: "Dependence of GaN MOMBE Growth on Nitrogen Source:ECR Plasma Gun Structure and Monomethyl-hydrazin" Journal of Crystal Growth. (発表予定).

  • [Publications] 土屋 晴稔: "Growth Condition Dependence of GaN Crystal Structure on (001) GaAs by Hydride Vapor Phase Epitaxy" Journal of Crystal Growth. (発表予定).

URL: 

Published: 1999-03-15   Modified: 2016-04-21  

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