高速スイッチング電源用のInPパワーショットキ整流ダイオードの試作

1997 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 09555105
• Research Institution: Hokkaido University
• Principal Investigator: 呉 南健 北海道大学, 大学院・工学研究科, 助手 (00250481)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 石井 宏辰 古河電気工業, 横浜研究所, 研究員 ; 赤澤 正道 北海道大学, 大学院・工学研究科, 助教授 (30212400) ; 雨宮 好仁 北海道大学, 大学院・工学研究科, 教授 (80250489)
• Keywords: ショットキ / ダイオード / InP / 高速 / スイッチング

Research Abstract

高速スイッチング電源用のInPパワーショットキ整流ダイオードの最適構造を設計した。また、InPパワーショットキ整流ダイオードの試作を行った。以下に本研究で得られた成果の概要を記す。
1)高速スイッチング電源用のInPパワーショットキ整流ダイオードの最適構造を設計した。耐圧40Vを設計基準として、次のダイオードの最適構造を得た。ダイオードのエピタキシャル層の厚さは0.2um、エピタキシャル層のキャリア濃度は3x10^<16>/cm3,ショットキ障壁値0.4eVである。
2)以上の最適構造を用いてInPパワーショットキ整流ダイオードの高速動作特性を解析した。ダイオードの整流可能最高周波数は約10MHzであることがわかった。
3)実際にnPパワーショットキ整流ダイオードの試作を行った。ショットキ整流ダイオードの直列抵抗を低減するために、ダイオード基板のオーミックコンタクト抵抗を最小することが不可欠である。350℃で5分間ア-ニリング方法で低抵抗のAu・Ge・Ni合金系オーミックコンタクトを得た。

Research Products

• [Publications] Nan-Jian Wu et.al: "Cellular-Automaton Circuits Using-Simgce-eceetron Tunneling Junctions" Jpn J.Appl.Phys. 36. 2621-2627 (1997)
• [Publications] M.Akazawa et.al: "Annealing method for operating quantum-cellalar-Antometon system" J.Apol.phys. 82. 5176-5184 (1997)
• [Publications] Nan-Jian Wu et.al: "ceaantun cellular Automaton Devio Using the inage charge Effect" Jpn.J.Appl phys. 37(印刷中). (1998)