1998 Fiscal Year Annual Research Report
| Project/Area Number |
09558066
|
|---|
| Research Institution | The University of Tokyo |
|---|
Principal Investigator |
梶井 克純 東京大学, 先端科学技術研究センター, 助教授 (40211156)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
吉沢 仁 藤井光学, 研究員
廣川 淳 東京大学, 先端科学技術研究センター, 助手 (20262115)
|
|---|
| Keywords | NO_2 / LIF / Nd:YLFレーザー / ダイノードゲート |
|---|
| Research Abstract |
可視域に存在するブロードなNO_2の電子吸収帯の523mmバンドを利用した、レーザー誘起蛍光法を用いた、NO_2濃度計測システムの開発と継続して行った。LIF測定用のセルを作製し、真空排気の実験を行い30mTorrまで到達することが明らかとなり実用に耐えうるものとなった。
NO_2の励起に用いる半導体レーザー励起のNd:YLFレーザーの第2高周波は安定に発振し1kHzのくり返しのときに約200μJ/pulseのエネルギーが得られることが分かった。ダイノードゲートを導入した光電子増倍等により1000/1でゲート機構が作動することが明らかとなった。
|
