1998 Fiscal Year Annual Research Report
Project/Area Number |
09640477
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Research Institution | Ochanomizu University |
Principal Investigator |
今井 正幸 お茶の水女子大学, 理学部, 助教授 (60251485)
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Keywords | 一次相転移 / 誘導期間 / 前駆現象 / 複雑液体 / モルフォロジー転移 / 小角散乱 |
Research Abstract |
1次相転移の誘導期間における秩序形成を明らかにする目的で、我々は本研究を行い、次の点を明らかにしてきた。1)高分子の結晶化誘導期間において、メゾスコピックな空間スケールで分子鎖の配向秩序化がまず進行し、その後結晶化が進む。2)両親媒性分子のモルフォロジー転移においてその転移の極初期段階で、サブ秒の時間スケールで、微結晶の生成・消滅が繰り返され、これが次第に大きな結晶へと成長していくこと。平成10年度は、この結果を踏まえ、以下の相転移の前駆現象について研究を行った。 1. 非イオン性界面活性剤/水系でのモルフォロジー転移(ラメラ/Gyroid転移)のpretransition現象高エネルギー加速器研究機構のシンクロトロン放射光のX線小角散乱装置(PF15A) を用いて非イオン性界面活性剤/水系でのラメラ/Gyroid転移を追跡した。ラメラ/Gyroid転移点より高温側のラメラ相においてすでに、Gyroid相に繋がる特定の波数ベクトルをもつ膜の揺らぎが発生し、温度が転移点に近づくにつれてその揺らぎが次第に成長することが明らかになった。現在、得られた散乱曲線をCailleの相関関数を用いて解析することにより、膜の弾性率の温度依存性を求めており、これと特定モード揺らぎとの関係を調べることにより、モルフォロジー転移の前段階における膜の不安定性を定量的に解析し、前駆現象と相転移の関係を明らかにする。 また、これに関連するトピックスとしてモルフォロジー転移後期過程のスローダイナミクスおよびモルフォロジー転移に及ぼす流動場の影響を明らかにした。 2. 高分子/液晶系の液晶・結晶化転移のキネティクス 高分子/液晶系では、高分子濃度がある値以上になると液晶分子が結晶化することが知られている。この液晶分子の結晶化は、その秩序パラメーターが密度と配向の2パラメーター系であることから上の高分子の結晶化と類似の結晶化キネティクスが期待される。 10年度は、この・高分子/液晶系の結晶化挙動を小角散乱散乱手法とモンテカルロシミュレーション手法により追跡した。その結果、液晶分子の結晶化の前段階で液晶分子の配向秩序化が進んでいることがシミュレーションから予想されることが明らかとなった。 平成11年度はこれらの研究をさらに推進することにより、1次相転移の誘導期間における秩序形成の役割を明らかにする。
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[Publications] 今井正幸: "Slow Dynamics of Morphnology Transition Observeclina Surfactant System" AIP Conference Proceedings. (1999)
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[Publications] 今井正幸: "Shear Effects on the Morphology Transition in a Nonionic Surfactant System" J.Phys.Chem.Solid. (1999)
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[Publications] 今井正幸: "Tip-Splitting Crystal Growth Observed in Crystallization from Thin Films of Poly(ethylene terephthalate)" J.Cryst.Growth. (1999)