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1997 Fiscal Year Annual Research Report

強磁場下におけるポリシラン膜の配向

Research Project

Project/Area Number 09640694
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Research InstitutionOsaka Prefecture University

Principal Investigator

堂丸 隆祥  大阪府立大学, 先端科学研究所, 教授 (10100223)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 茂木 巌  東北大学, 金属材料研究所, 助手 (50210084)
岡 邦雄  大阪府立大学, 先端科学研究所, 助教授 (50090452)
Keywordsポリシラン / 配向 / 磁界 / 正孔移動度
Research Abstract

ポリシランは主鎖上に存在するσ共役ドメイン間のホッピングにより正孔移動を行うため、主鎖が規則正しく配向することにより2桁程度移動度が速くなると言われている。この研究では強磁界を利用したポリシラン主鎖の配向を試み以下の結果を得た。
1)0〜12テスラの磁界下で、ポリシラン溶液の紫外吸収の吸光度変化を調べた。ポリシランの紫外吸収はσ共役ドメインが原因となっており、その異方性のため光の進行方向が主鎖に対して垂直の時吸光度が一番大きくなる。このことを利用して、いくつかのポリシラン(poly(methylphenylsilane),poly(methylbiphenylsilane),poly(methyl4,7,10,13-tetraoxatetradecylsilane))の主鎖が磁場に垂直の方向に並ぶことを見出した。
2)5テスラ、12テスラの磁界下でポリシラン感光体を作製し、タイム・オブ・フライト法により正孔移動度を測定した。移動度の温度依存性、電界依存性をホッピングサイトがエネルギー的および位置的ガウス分布しているモデル(Disorder formalism)により解析を行った。エネルギー的揺らぎを示すパラメータ(σ)は、90.2meV(0テスラ)、85.7meV(5テスラ)、82.6meV(12テスラ)また、位置的揺らぎを示すパラメータ(Σ)は、2.54(0テスラ)、2.01(5テスラ)、1.84(12テスラ)といずれも系統的に変化した。これらは、ポリシラン主鎖が磁界に垂直に配列しているモデルにより説明することが出来る。
以上、紫外吸収の吸光度および正孔移動度により、ポリシラン主鎖が磁界に垂直に配列することを初めて見出した。

  • Research Products

    (1 results)

All Other

All Publications (1 results)

  • [Publications] T.Dohmaru他: "Influence of Magnetic fields on UV absorption and Carrier transport in polysilanes" Solid State Commun.102 (in press). (1998)

URL: 

Published: 1999-03-15   Modified: 2016-04-21  

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