1997 Fiscal Year Annual Research Report

極端紫外光リソグラフィ用薄膜の最適設計と分光エリプソメトリによるその評価法の研究

Research Project

Project/Area Number	09650048
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Research Institution	Shizuoka University
Principal Investigator	山口十六夫静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (40010938)
Keywords	極端紫外光リソグラフィ / 超解像マスク / 位相反転マスク / 分光エリプソメトリ / a-SiN_X / Al_<1-X>Cr_XO_Y
Research Abstract	実用的な究極の光リソグラフィ用光源であるArFエキシマレーザーの波長(193nm)における超解像マスク用薄膜材料、および、レジスト内部のハレーション防止用反射防止膜材料を調べるのが本研究課題の目的である。超解像マスクは、光を遮蔽する部分を位相反転、部分透過膜とすることで、パターンの境界を明瞭にさせるものである。本研究では単層位相反転部分透過膜超解像マスク、及び、反射防止膜を調べる。いずれも193nmでの薄膜の光学定数n-ikの正確な値が必要不可欠である。本研究では、240nm以上の長波長領域の分光エリプソメトリ計測データから193nmでの正確な値を外挿して得る手法を考案した。実際に、a-SiN_Xおよびa-Al_<1-X>Cr_XO_Y薄膜を作製し、上記の手法が有効であることを確認するとともに、これらの材料が本研究の目的に適していることを見出した。

[Publications] Z.-T.Jiang, M.Aoyama, L.Asinovsky and T.Yamaguchi: "Investigation of Silicon Rich Nitride Phase-shifting Mask Material for 193nm Lithography" 3rd Intern.Symp.on 193nm Lithography(Hakodate),Digest of Abstract. 125-126 (1997)
[Publications] Z.-T.Jiang, T.Yamaguchi, E.Kim, S.Hong, K.No, Y.S.Kang, S.J.Park and Y-B Koh: "Application of DV-Xα to the Cr_2O_3-Al_2O_3 mask materials for Deep-UV Lithography" Bulletin of the society for discrete variational-Xα. 10[2]. 22-26 (1997)
[Publications] 山口十六夫: "非晶質材料の経験的誘電率関数と膜厚揺らぎモデル" 表面科学. 18[11]. 676-680 (1997)
[Publications] H.Jayatissa, T.Yamaguchi, K.Sawada and M.Aoyama: "Characterization of interface layer of silicon on sapphire using spectroscopic ellipsometry" Jpn.J.Appl.Phys.36[12A]. 7125-7155 (1997)
[Publications] Z.-T.Jiang, T.Yamaguchi, M.Aoyama and T.Hayashi: "Possibility of simultaneous monitoring of temperature and surface layer thickness of Si substrate by In situ spectroscopic ellipsometry" Jpn.J.Appl.Phys.37[2]. 674-678 (1998)
[Publications] Z.-T.Jiang, T.Yamaguchi, K.Ohshimo, M.Aoyama and L.Asinovsky: "The application of silicon rich nitride films for use as deep-ultraviolet lithography phase-shifting masks" Jpn.J.Appl.Phys.37[2]. 628-633 (1998)