1998 Fiscal Year Annual Research Report
極端紫外光リソグラフィ用薄膜の最適設計と分光エリプソメトリによるその評価法の研究
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09650048
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| Research Institution | Shizuoka University |
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Principal Investigator |
山口 十六夫 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (40010938)
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| Keywords | 極端紫外光リソグラフィ / 超解像マスク / 単層ハーフトーン位相シフトマスク / a-SiN_X / 分光エリプソメトリ / 堆積過程モニタリング / 基板温度監視 / RFスパッタリング |
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| Research Abstract |
昨年度に引き続き、実用的な究極の光リソグラフィ用光源であるArFエキシマレーザーの波長(193nm)における超解像マスク用薄膜材料、および、レジスト内部のハレーション防止用反射防止膜材料として、a-SiN_x薄膜をその候補として調べた。
超解像マスクは、光を遮蔽する部分を位相反転、部分透過膜とすることで、パターンの境界を明瞭にさせるものである。単層ハーフトーン位相シフトマスク、及び、反射防止膜を設計するためには、193nmでの薄膜の光学定数n-ikの正確な値が必要不可欠なので、昨年度、240nm以上の長波長領域の分光エリプソメトリ計測データから193nmでの正確な値を外挿して得る手法を考案した。
本年度は、その場分光エリプソメトリを構築し、RFスパッタリング法で成長中のa-SiN_x薄膜の膜厚とSi基板温度を同時モニタリングする手法を開発した。ArとN_2の混合比を変えた雰囲気でスパッタ堆積させた薄膜は、a-Siからa-Si_3N_4まで、光学的性質が系統的に変化することを確認した。その結果、単層ハーフトーン位相シフトマスク及び反射防止膜材料として有望であることが分かった。
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Research Products
(6 results)
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[Publications] A.H.Jayatissa, T.Yamaguchi, H.Kinoshita and T.Hando: "Spectropic ellipsometric characterization of diamondlike carbon films" J.Vac.Sci.Technol.A16〔2〕. 746-748 (1998.3/4)
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[Publications] Tomuo Yamaguchi, Masahiro Nasu, Zhong Tao Jiang, Michiharu Tabe, Yozo Kanda: "Spectroellipsometric characterization of SIMOX with nm thick top Si layer" Thin Solid Films. 313/314. 264-269 (1998)
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[Publications] Zhong Tao Jiang, Mitsuru Aoyama, Yoichiro Nakanishi, Tomuo Yamaguchi, Leo Asinovsky: "Spectroellipsometric characterization of thin silicon films" Thin Solid Films. 313/314. 298-302 (1998)
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[Publications] L.Asinovsky, M.Broomfield, F.Shen, A.Smith, T.Yamaguchi: "Characterization of the Optical properties of PECVD SiNx films using ellipsometry and reflectometry" Thin Solid Films. 313/314. 198-204 (1998)
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[Publications] Z.-T.Jiang, K.Ohshimo, M.Aoyama,and T.Yamaguchi: "A study of Cr-Al Oxides for Single-layer Halftone Phase-shifting Masks for Deep-ultraviolet Region Photolithography" Jpn.J.Appl.Phys.36〔7A〕. 4008-4013 (1998)
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[Publications] Shouichi Uchiyama, Yoshihiro Ishigami, Masashi Ohta, Minoru Niigaki, Hirofumi Kan, Yoichiro Nakanishi and Tomuo Yamaguchi: "Growth of AlN films by Magnetron Sputtering" J.Cryst.Growth. 189/190. 448-451 (1998)
