1998 Fiscal Year Annual Research Report
Si中にイオン注入されたAs及びSbの酸化膜界面パイルアップ現象の解明
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09650358
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| Research Institution | HIROSHIMA UNIVERSITY |
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Principal Investigator |
芝原 健太郎 広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 助教授 (50274139)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
横山 新 広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 教授 (80144880)
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| Keywords | シリコン / イオン注入 / ヒ素 / アンチモン / パイルアップ |
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| Research Abstract |
As及びSbの熱処理過程におけるパイルアップ現象を解明するため、低エネルギーイオン注入層におけるパイルアップ形成と熱処理の関係を主にSIMSを用いて評価した。アニール時のパイルアップによって実効的なドーピング量が減少することがシート抵抗の増大を招いていることを既に明らかにしてきた。今年度は高速昇温が可能なRTA(rapid thermal anneal)装置を用いて接合深さとシート抵抗の関係を調べた。注入条件は全てエネルギー10keV、ドーズ1x10^<14>cm^<-2>である。RTAの時間は10秒で一定とした。Sbの場合にはRTA温度が1000℃から800℃へ下がるにつれ表面におけるパイルアップは減少した。また、1000℃では拡散のために接合が深くなったが900℃以下では拡散による接合深さの変動は無視できるほど小さかった。昨年度までの研究で見いだされた熱処理初期における減速拡散や別の実験で今年度見いだした注入ドーズ量減少によるパイルアップ抑制(データは割愛する)等の現象があることから、このようなSbの挙動の差異が処理温度の高低による拡散の違いのみで説明できるとは思えない。As注入層ではRTAで800℃まで下げた場合でもパイルアップが生じており一見同様に見えるAsとSbのパイルアップ形成のメカニズムが異なっていることを示唆している。
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