1998 Fiscal Year Annual Research Report
電流密度解析法による聴性頭頂部緩反応と聴性中間反応の起源に関する研究
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09671776
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| Research Institution | Fukuoka University |
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Principal Investigator |
白石 君男 福岡大学, 医学部, 助手 (90187518)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
江浦 陽一 福岡大学, 医学部, 講師 (70193985)
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| Keywords | 電流密度解析 / 聴性頭頂部緩反応 / 聴性中間反応 |
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| Research Abstract |
当該年度の検討項目と得られた知見は以下の如くであった。
1. 聴性中間反応(MLR)の電流密度(SCD)波形のトポグラフィー
NaどPaの平均電位勾配地図のパターンの違いから,Paの発生源はNaより表層部に位置する別々の起源であると推定した。またPaは両側のほぼ同じ大きさをもつ電流双極子と刺激反対側の前頭部に存在する小さな電流双極子によって構成されていることを示し,Paには複数の発生源が関与していると推察された。
2. 聴性頭頂部緩反応(SVR)の電流密度(SCD)波形のトポグラフイー
N1とP2の発生源は,両側の側頭部に存在すると考えられたが,SCDマップの空間的なパターンと時間経過の違いから,両者の起源は同一ではないと推測された。
3. SVRの表在成分(FSFC)と深部成分(SFFC)
FSFC波形のN1とP2の振幅は,頭頂部,後頭部の部位で電位波形の比較して小さくなっていた。しかし両側頭の部位でFSFCの波形の振幅と電位波形の振幅との差は観察されなかった。SFFCの波形はFSFCの波形に比較して潜時が延長していた。FSFCの地図は,N1のsource領域が両側の側頭部で出現し,潜時70msec付近では刺激反対側のsource領域が優位であった。P2は頭頂中心部にsource領域が存在し,両側の側頭部にsink領域が限局して観察された。SSFCの地図ではN1は,後頭部および側頭部に陽性の高電位が観察され頭頂部に陰性の高電位が観察された。一方P2のトポグラフィーはFSFCの地図のそれと比較してあまり差は認められなかった。これらからN1は後頭部に向かう深部からの成分の寄与を含めた両側の側頭部からの成分が合成されていることと,P2の双極子は時間的に両側の側頭部に解剖学的に一定した位置に存在し同じ方向をもっていることが示唆された。
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