エピタクシャル磁性超薄膜の表面界面構造・モルファロジーと表面磁気光学効果

1998 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 09750030
• Research Institution: The University of Tokyo
• Principal Investigator: 長尾 忠昭 東京大学, 大学院・理学系研究科, 助手 (40267456)
• Keywords: 表面 / 界面 / エピタクシャル成長 / 磁性 / ナノ構造

Research Abstract

本年度は、薄膜のナノ構造分析のためのELS-LEED(エネルギー損失分析型低速電子回折)装置を完成しその性能評価を行った。その結果設計値に近い0.07°の角度分解能と18meVのエネルギー分解能を持つことを確認した。この装置を用いて(1)LEEDモードではシリコン表面のステップ面(微斜面)が銀原子の吸着により形態変化を起こす様子を監察したり、(2)シリコン表面上に酸素原子が吸着する際の振動エネルギーの測定をエネルギー分析モードにおいて行った。
続いて、1500Kまで加熱可能かつ4端子法による抵抗測定が可能な超高真空対応マニピュレーター・試料ホルダを特注製作し所定の性能で動作することを確認した。また超高真空槽内で移動可能な電磁石を製作し上述のマニュピレーター・試料ホルダと組み合わせることにより磁性薄膜(シリコンウエハ上に成長させた1nm程度のコバルト薄膜)の磁気抵抗を測定し超薄膜の磁性の測定が超高真空中でもできることを確認した。表面磁気光学測定装置SMOKEは制御電源の製作がほぼ完了し調整の結果ほぼ使用可能であることを確認した。