1998 Fiscal Year Annual Research Report
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09831004
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| Research Institution | Konan University |
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Principal Investigator |
杉村 陽 甲南大学, 理学部, 教授 (30278791)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
ハ゜ブロ バッカロ ATR環境適応通信研究所, 研究員
梅津 郁郎 甲南大学, 理学部, 講師 (30203582)
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| Keywords | 量子ドット / 自己形成 / ImAs / GaAs / トンネル結合 / ドット間結合 / フォトルミネッセンス / 非対称スペクトル / 光伝導 |
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| Research Abstract |
昨年度我々は、高密度のInAs/GaAs量子ドット系において低温でのフォトルミネッセンスが非対称スペクトルを示すこと、そしてこれはドット間結合により生じた現象である可能性が高いことを指摘した。2年目である平成10年度はこの現象を詳細に解析し、電気的測定法より試料作りが容易である光学的測定法によってドット間結合の度合いを予測できるかどうかについて検討した。、原子間力顕微鏡を用いてドットサイズを詳細に調べ、非対称スペクトルがドットサイズの非対称性によるものではないことを確認した。選択励起によるフォトルミネッセンスの測定によりスペクトルの非対称性が消えるが、これはドット密度が等価的に減少していることによりドット間結合が起こりにくくなっているためであることを見出した。また温度を上昇させるとやはり非対称性が消えるが、これはインコヒーレントトンネルが強くなるせいであることがわかった。そして、ある試料についてフォトルミネッセンス測定により低エネルギー側に裾を引く非対称スペクトルが得られ、これが原子間力顕微鏡測定などにより非対称サイズ分布のためではないことが確認できれば、ドット間結合が起こっていると結論付けられることが明らかになった。さらに本年度は、InAs/GaAs量子ドット系の光伝導度測定を行うための準備を行った。電子輸送特性はキャリア密度にも依存するため、ドット密度およびキャリア密度の異なる試料の作成を行った。これらの試料の中には低温領域で非対称のフォトルミネッセンススペクトルを示すものがあり、これらについては量子ドット間結合による光伝導が測定できる可能性が高いと思われる。
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[Publications] I.Umezu et.al.: "Temperature dependent phatoluminescenie of Si nano crystallites prepared by inert gas ambient pulued laser ablation" Material Research Society Symposium Proceedings. 486. 219-223 (1998)
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[Publications] I Umezu et.al.: "Effects of Thermal processes on photoluminer cence of Si nano crystallites prepared by pulsed laser ablation" J.Appl.Phys.84. 6448-6450 (1998)
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[Publications] A.Sugimura et.al.: "In plame eleetronic coupling in self organized quantum lot ensemble" Proc.24th International Conf.Physics of Semiconducters. (印刷中).
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[Publications] I.Umezu et.al.: "Efficient photoluminescence from a-Si:H film prepared by reacture RF sputtering" Proc.24th Int.Conf.Physics of Semiconductors. (印刷中).
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[Publications] P.O.Vaccaro et.al.: "Nano oxidation of vanadium Their film using atomic force microscope" Journal of Material Science Letters. 17. 1941-1943 (1998)
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[Publications] I.Umezu et.al.: "Effects of thermal processing on photoluminescence of Si nanocriptallited prepared by pulsed laser ablation" Proc.5th Int.Symp.Quantum Confenement Nano-structures. (印刷中). 40-48
