1997 Fiscal Year Annual Research Report
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09874069
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| Research Institution | Hokkaido University |
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Principal Investigator |
山谷 和彦 北海道大学, 大学院・工学研究科, 教授 (80002054)
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| Keywords | 擬一次元電気伝導体 / 電荷密度波 / 超伝導体 / 位相 / ジョセフソン電流 / 近接効果 |
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| Research Abstract |
本年度の研究実施結果は以下の通りである。
1 擬一次元電気伝導体NbSe3及びTaSe3の単結晶試料を作成した。作製した試料の電気抵抗率の温度依存性を測定し、二段の電荷密度波転移を示す温度からNbSe3であること、及び、超伝導を示す温度からTaSe3であることを確認した。
2 NbSe3,TaSe3の単結晶は、幅20-50μm、厚さ1μm程度と、極めて微小であるため、実体顕微鏡下で取り扱う。又、外力に弱く劣化が生じ易いため、扱いには細心の注意を要する。NbSe3,TaSe3の単結晶の取り扱いを練習し、習熟した。
3 NbSe3単結晶を用いたCDW-CDW接合素子を作製し、プログラマブル電流発生装置を用いて電流-電圧特性の予備的測定をした。測定温度は4.2Kである。CDWギャップに関連したと思われる構造が電流-電圧特性スペクトルで観測された。それに加えて、新たな構造も観測された。それらの再現性を確認する実験を、進行中である。
4 TaSe3単結晶におる超伝導-超伝導接合素子、NbSe3-TeSe3によるCDW-超伝導接合素子を作製中である。
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