1998 Fiscal Year Annual Research Report
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09874138
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| Research Institution | Muroran Institute of Technology |
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Principal Investigator |
城谷 一民 室蘭工業大学, 工学部, 教授 (90110692)
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| Keywords | 高圧下 / X線回折 / 一次元白金錯体 / 軌道放射光 / 相転移 / 白金-ベンゾキノンジオキシマート錯体 / 構造 |
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| Research Abstract |
白金-ベンゾキノンジオキシマート錯体〔Pt(bqd)_2〕大気圧下で10^3Ω・cmを持つ半導体であるが、高圧下で金属化する。さらに加圧すると抵抗極小が現れ再び半導体となる。このような絶縁体-金属-絶縁体転移の機構を明らかにするため高圧下におけるPt(bqd)_2のX線回折を研究した。Pt(bqd)^2には白金が含まれるもののC,N,Oといった軽元素がほとんどのため、X線の回折強度が弱く通常の線源を用いて高圧下のX線回折の実験を行うのは大変難しい。それ故軌道放射光とダイヤモンドアンビル型高圧発生装量とイメージングプレートを組み合わせて研究を行った。大気圧下では低角度側に200と110の2つの強い回折線が見出される。3.8GPa(1GPa=1万気圧)まで加圧すると200と110ラインのまわりに2本の新しい回折線が観測された。さらに加圧すると回折線の強度を変化させて3本の線になる。この状態で減圧すると回折線はもとの状態に戻る。Pt(bqd)_2では抵抗極小が現れる圧力よりも約2GPa高いところで構造異常が見出された。
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