1997 Fiscal Year Annual Research Report
| Project/Area Number |
09875083
|
|---|
| Research Institution | Meijo University |
|---|
Principal Investigator |
天野 浩 名城大学, 理工学部, 講師 (60202694)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
赤さき 勇 名城大学, 理工学部, 教授 (20144115)
|
|---|
| Keywords | III族窒化物半導体 / レーザーダイオード / FIB加工 / アップコンバージョン / SHG / 真空紫外 / ハイパワーレーザー |
|---|
| Research Abstract |
現在、研究室レベルで実現可能な真空紫外域(波長200nm以下)のコヒーレント光源(レーザー)は、ArFか、またはArClなどの気体エキシマーレーザーのみであり、しかもパルス動作である。本研究では、本申請者等が開発したIII-V族窒化物半導体を用いた紫外レーザーダイオードを励起光として、二次高調波発生結晶やアップコンバージョン結晶を用いて、コヒーレント真空紫外光(188nm)、しかも連続光を得る事を目的とする。
III族窒化物半導体によるレーザーダイオードは、現在ではまだ安定して作製できるとは言い難い。そこで本年度は、励起光源としてのハイパワーIII族窒化物レーザーダイオードの作製について検討を行った。その結果、1.リッジ導波型とする事により、比較的安定してレーザーダイオードの作製が可能であること、2.放熱の工夫により、長パルス化が可能である事、3.共振器ミラー面の作製にFIB加工を施す事により、低閾値化が図られる事などを見出した。
|
-
[Publications] 天野浩、 竹内哲也、 山口栄雄、 Christian Wetzel、 赤〓勇: "サファイア上GaNの成長過程と結晶学的特性およびGaN上AlGaN、GaInNの結晶学的特性" 電子情報通信学会論文誌. C-II. 65-71 (1998)
-
[Publications] H.Katoh, T.Takeuchi, C.Anbe, R.Mizumoto, S.Yamaguchi, C.Wetzel, H.Amano, I.Akasaki, ^*Y.Yamaoka, ^*W.Kaneko and ^*N.Yamada: "GaN based laser diode with focused ion beam etched mirror" Japanese Journal of Applied Physics(to be published). (1998)
-
[Publications] Motoaki IWAYA, Tetsuya TAKEUCHI, Shigeo YAMAGUCHI, Cristian WETZEL, Hiroshi AMANO and Isamu AKASAKI: "Reduction of Etch pit Density in Organometallic Vapor Phase Epitaxy-Grown GaN on Sapphire by Insertion of a Low-Temperature-Deposited Buffer Layer between High-Temperature-Grown GaN" Japanese Journal of Applied Physics(to be published). (1998)
-
[Publications] 酒井浩光、 竹内哲也、 天野浩、 赤〓勇: "GaNの誘導放出機構と混晶効果" レーザー研究. 25. 510-513 (1997)
