マルチメディア光多重通信網に対応する光波長集積デバイスに関する総合研究

1997 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 09895002
• Research Institution: Osaka University
• Principal Investigator: 西原 浩 大阪大学, 工学部, 教授 (00029018)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 伊東 一良 大阪大学, 工学部, 教授 (80113520) ; 野田 進 京都大学, 工学研究科, 助教授 (10208358) ; 水本 哲弥 東京工業大学, 工学部, 助教授 (00174045) ; 菊池 和朗 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (50134458) ; 伊賀 健一 東京工業大学, 精密工学研究所, 教授 (10016785)
• Keywords: 光エレクトロニクス / 波長集積 / 光物性 / 光制御 / 発光デバイス / 光増幅デバイス / 光機能デバイス / 光多重

Research Abstract

光通信、光交換および光記憶技術分野において、マルチメディア光多重通信網に対応する、波長に主眼を置いた集積化技術、すなわち波長の異なる多数の光波を的確に処理することによって特徴が一層発揮されるようにデバイス/システムを集積化する技術に関し、下記スケジュールで企画調査を行った。
・平成9年7月9日第1回幹事会(研究項目および役割分担の調整)
・平成9年7月17日第1回全体会議(研究項目および研究題目の確認・調整)
・平成9年9月20日第2回幹事会(シンポジウム開催要領、特定領域展開の討議)
・平成9年10月18日第3回幹事会(シンポジウム開催要領、特定領域展開の討議)
・平成9年11月25日第4回幹事会、シンポジウム、第2回全体会議(調査研究中間報告、今後の展開、報告書作成に関する討議)
課題課題および分担者を「紫外・青色から赤色域までのレーザ/光デバイス材料の基礎物性と制御」(岸野)「青色発光・受光のためのヘテロエピタキシャル結晶物性」(梅野)「シリコン基板上III-V化合物半導体光デバイス」(神保)「多波長発光・受光のためのナロウギャップ光半導体の物性制御」(末宗)「波長制御のための極微3次元構造化光半導体の実現とその物性」(野田)「波長集積光通信用レーザアレイ」(荒井)「多波長集積面発光レーザアレイ」(伊賀)「波長集積化技術を用いた光ルーティング」(水本)「光磁気ディスク用薄膜集積化直交2周波発振半導体レーザ」(後藤)「多波長光増幅デバイス」(山田)「サブミクロン3次元周期構造とフォトニック結晶への応用」(川上)「紫外光領域の光デバイス技術」(西原)「体積グレーティング素子を備えた3次元光導波路網」(伊東)「全光学的波長変換デバイス」(菊池)「広波長域偏光無依存高速光ゲートおよび空間光スイッチ」(多田)「ネットワーク入出力用多波長選択性光導波路デバイス」(國分)「波長選択性光ファイバ素子とその応用」(今井)と決定し、調査研究を行ない、その結果をまとめて、「波長集積光エレクトロニクス」研究展開のため、年度末に研究成果報告書を作成した。

Research Products

• [Publications] Toshihiro Morita, Hiroyuki Shinbo, Takeshi Nagano, Ichirou Nomura, Akihiko Kikuchi, and Katsumi Kishino: "Refractive index measurements of MgZnCdSe II-VI compound semiconductors grown on InP substrates and fabrications of 500-600 nm range MgZnCdSe distributed Bragg reflectors" J.Appl.Phys.81. 7575-7579 (1997)
• [Publications] Masaki Yoshizawa, Akihiko Kikuchi, Masashi Mori, Nobuhiko Fujita, and Katsumi Kishino: "Growth of self-organized GaN nano-structures on A1203 (0001) by RF-radical source molecular beam epitaxy" Jpn.J.Appl.Phys.36. L459-L462 (1997)
• [Publications] H.Ishikawa, K.Nakamura, T.Egawa, T.Jimbo and M.Umeno: "Pd/GaN Schottky diode with a barrier height of 1.5eV and a reasonably effective Richardson coefficient" Jpn.J.Appl.Phys.37. L7 (1998)
• [Publications] T.Egawa, T.Jimbo and M.Umeno: "Characteristics of In GaN/AlGaN light-emitting diodes on sapphire substrates" J.Appl.Phys.82. 5816 (1997)
• [Publications] Takashi Egawa, Naoki Nakanishi, Takashi Jimbo and Masayoshi Umeno: "220K Continuous Wave Operation of AlGaAs/GaAs Multi-Quantum Well Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser on Si Substrate" Extended Abst.of 1997 Intern.Conf.on Solid State Devices and Materials. 401 (1997)
• [Publications] A.Avramescu, A.Ueta, T.Tawara, K.Uesugi, and I.Suemune: "AFM Nanopatterning on GaAs Substrates for Selective Area Growth of ZnSe and ZnS" Nonlinear Optics. 18. 103-106 (1997)
• [Publications] K.Uesugi and I.Suemune: "Bandgap Energy of GaNAs Alloys on (001) GaAs by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy" Jpn.J.Appl.Phys.Lett.36. L1572-L1575 (1997)
• [Publications] S.Noda, T.Abe, M.Tamura, and A.Sasaki: "Modes of Higer Enegy Levels in Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots" Physica B. (in press). (1998)
• [Publications] N.Yamamoto, S.Noda, and A.Sasaki: "New Realizztion Method for Three-Dimensional Photonic Crystal in the Optical Wavelength Region : Experimental Consideration" Jpn.J.Appl.Phys.36. 1909-1911 (1997)
• [Publications] Ki-Chul SHIN, Naoki SERIZAWA, Mothi MADHAN RAJ and Shigehisa ARAI: "Drive current and design consideration of an ultra-low threshold current laser for optical parallel data communication" IEEE Lightwave Technol.15. 845-851 (1997)
• [Publications] Takashi KOJIMA, Shigehisa ARAI and Gerd U.BACHER: "Anisotropic polarization properties of photolumiescence from GaInAsP/InP quantum-wire structures fabricated by two-step organometallic vapor phase epitaxy growth" Jpn.J.Appl.Phys.37. L46-L49 (1998)
• [Publications] 伊賀健一, 小山二三夫: "面発光レーザ" 電子情報通信学会誌. 80. 687-691 (1997)
• [Publications] M.Takahashi, N.Egami, T.Mukaihara, F.Koyama, and K.Iga: "Lasing characteristics of GaAs(311)A substrate based InGaAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting lasers" IEEE J.Select.Top.Quantum.Electron.3. 372-378 (1997)
• [Publications] K.H.Park, T.Mizumoto and Y.Naito: "Recognition and separation of header for all optical ATM" Optics Communications. (to be published). (1998)
• [Publications] K.H.Park, T.Mizumoto, A.Matsuura and Y.Naito: "Demonstration of all optical address extraction" OECC97,Seoul,Technical Digest. 630-631 (1997)
• [Publications] 山田実: "一方向性光増幅器の理論的提案" 電子情報通信学会技術報告. LQE-97. (1997)
• [Publications] 川上彰二郎、花泉修、佐藤尚、大寺康夫、川嶋貴之: "Si/SiO2系サブミクロン周期3Dフォトニック結晶の作製と観察" 電子情報通信学会論文誌C-1. J80C-1. 296-297 (1997)
• [Publications] Shojiro Kawakami: "Fabrication of sub-micrometer 3D periodic structures composed of Si/SiO2" Electronics Lett.33. 1260-1261 (1997)
• [Publications] 山崎 裏 栖原 西原: "スパッタリング Al2O3-SiO2薄膜導波路の紫外透過特性" 第44回応物学会予稿集. 29a-NE-1 (1997)
• [Publications] 本沢 裏 栖原 西原: "紫外3波長用ブレ-ズグレーティング素子" 第45回応物学会予稿集. 28a-YD-7 (1998)
• [Publications] K.Itoh, W.Watanaba, K.Ikezawa, Y.Furuya: "Micro-Bragg reflectors in photorefractive 3D waveguides" Proc.SPIE. 3137. 162-170 (1997)
• [Publications] 菊池, 多久島: "光ファイバの非線形光学効果とデバイス" 光学 (日本光学会誌). (掲載予定). (1998)
• [Publications] 多田邦雄: "光スイッチング用半導体デバイスの研究開発動向" 電子情報通信学会フォトニックススイッチング時限研究会資料. PS97-17 (1997)
• [Publications] Hao Feng, Jia-Pang Pang, Kunio Tada and Yoshiaki Nakano: "Large Field-Induced Refracive index Change without Red Shift of Absorption Edge in Five-Step Asymmetric Coupled Quantum Wells with Modified Potential" IEEE Photon.Tech.Lett.9. 639-641 (1997)
• [Publications] Y.Kokubun, S.Yoneda and H.Tanaka: "Temperature-independent narrow-band optical filter by an athermal waveguide" IEICE Trans.on Electronics. E-80C. 632-639 (1997)
• [Publications] 國分泰雄: "温度無依存光波回路" 応用物理. 66. 933-938 (1997)
• [Publications] 今井正明, 伊東啓樹: "2光子吸収によるGeO2添加光ファイバのブラッググレーティングの形成" 平成9年度電気関係学会北海道支部連合大会予稿集. 216 (1997)