2009 Fiscal Year Annual Research Report
新しい強磁性強誘電体合成法の確立と電気・磁気特性最適因子の解明
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09F09608
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| Research Institution | National Institute for Materials Science |
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Principal Investigator |
木村 秀夫 National Institute for Materials Science, 情報通信材料研究萌芽ラボ, グループリーダー
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
ZHAO Hongyang 独立行政法人物質・材料研究機構, 情報通信材料研究萌芽ラボ, 外国人特別研究員
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| Keywords | 強磁性強誘電体 / ビスマスフェライト / 薄膜 / 複合ペロブスカイト / 結晶構造 / エピタキシャル成長 / 相転移温度 / マンガン添加 |
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| Research Abstract |
NIMSポスドク研究員として実施してきた強磁性強誘電体薄膜の研究に引き続き、以下の事項を実施した。
a)BiFeO_3におけるPb、Mn置換膜を、既存の装置を用いてPLD(パルスレーザー堆積)法により成膜した。
b)BiFeO_3におけるPb、Mn置換膜を、既存の強誘電体テスターを用いて強誘電特性評価を評価し、既存のVSM、SQUIDを用いて強誘電特性(ヒステレシスループ、疲労特性、リーク電流等)、磁気特性(ヒステレシスループ、ネール温度等)を評価した。通常の方法ではリーク電流が大きくて強誘電特性の測定が困難なため、PUND(positive, up, negative and down)法により印加電界を変化させて測定した。強誘電特性評価の際の周波数も1kHzまで変化させ、その時の変化について調べた。
c)BiFeO_3におけるPb、Mn置換PLD用バルクターゲットについて、既存の強誘電体テスターにより薄膜の場合より印加電界を増加させて強誘電特性を評価した。さらに既存のVSM、SQUIDを用いて強(反)磁性特性、ネール温度を評価した。BiFeO_3の系は磁気モーメントが小さいため、薄膜の磁気特性評価は困難であった。
以上の研究成果を、2010年2月22～26日にシドニーで開催されたICONN2010(International Conference on Nanoscience and Nanotechnology)で発表した(発表題目:A potential room temperature multiferroic material : Bi_2FeMnO_6)。
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