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2009 Fiscal Year Annual Research Report

フレキシブルディスプレイ開発に向けた透明酸化物半導体作製とナノ構造物質評価

Research Project

Project/Area Number 09J09384
Research InstitutionNara Institute of Science and Technology

Principal Investigator

藤井 茉美  Nara Institute of Science and Technology, 物質創成科学研究科, 特別研究員(DC1)

Keywords酸化物半導体 / 薄膜トランジスタ / 信頼性
Research Abstract

酸化物半導体は、材料の持つ特徴からフレキシブル・透明エレクトロニクス野において非常に有望な材料である。特に信頼性の問題を指摘されている酸化物デバイス開発において、本研究は注目を集める内容である。これらは現在、デバイス応用技術の確立が期待されている。しかし、酸化物半導体は、酸素や水素といった大気中に豊富に存在する元素による影響を受けやすく、容易に電気的特性が変化する材料である。従って特性制御と安定化が必須技術となる。現状では企業での応用研究は先行しているものの、基本的な物性評価が十分に行われていない。そのため、根本的な問題点の把握が困難な状況であり、課題は多い。このような課題解決を目指し、酸化物半導体を応用したデバイス開発に有益な情報を提供する。
まず、本研究機関における酸化物TFT作製プロセスの立ち上げを行い、自らデバイスの作製を行った。TFTの基本的な電気特性評価、および実動作時に近い環境での信頼性解析行った。これと平行して、雰囲気ガスによる劣化現象の解析を目指した実験を行った。これらの結果より、実動作時に近いストレス環境では、特定の欠陥準位に起因する劣化現象を報告した。このような特定の欠陥準位の生成という問題点を指摘し、解決手法を導くための知見を得ることができた。また、大気中の水素による影響を示唆する結果が得られ、デバイス作製プロセスにおける耐水素特性向上の重要性を指摘した。このような成果は、今後の安定なデバイス作製プロセスの開発において有益な情報を提供できると思われる。

  • Research Products

    (7 results)

All 2010 2009

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 2 results) Presentation (5 results)

  • [Journal Article] Electrical and thermal stress analysis of In203-Ga203-ZnO thin-film transistors2010

    • Author(s)
      Mami Fujii
    • Journal Title

      Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.1201

      Pages: 1201-H05-11

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Experimental and Theoretical Analysis of Degradation in Ga203-In203-ZnO Thin-Film Transistors2009

    • Author(s)
      Mami Fujii
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Pages: 04C091-1-6

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] The unique phenomenon of IGZO TFTs degradation under dynamic stress2010

    • Author(s)
      Mami Fujii
    • Organizer
      The 6th International Thin-Film Transistor Conference
    • Place of Presentation
      Himeji(Japan)
    • Year and Date
      2010-01-29
  • [Presentation] Electrical and thermal stress analysis of In2O3-Ga2O3-ZnO Thin-Film Transistor2009

    • Author(s)
      Mami Fujii
    • Organizer
      Materials Research Society Fall Meetings
    • Place of Presentation
      Boston, MA(USA)
    • Year and Date
      2009-12-01
  • [Presentation] Threshold Voltage Shift in Ga2O3-In2O3-ZnO(GIZO)Thin Film Transistors under Constant Voltage Stress2009

    • Author(s)
      Mami Fujii
    • Organizer
      第9回関西コロキアム電子デバイスワークショップ
    • Place of Presentation
      関西大学(大阪府)
    • Year and Date
      2009-10-22
  • [Presentation] Analysis and Improvement of Reliability in IGZO TFT for Next Generation Display2009

    • Author(s)
      Mami Fujii
    • Organizer
      9^<th> International Meeting on Information Display
    • Place of Presentation
      KINTEX, Seoul(Korea)
    • Year and Date
      2009-10-14
  • [Presentation] Effect of high pressure vapor anneal treatment of the interface between IGZO(In2O3-Ga2O3-ZnO)and SiO2 thin film2009

    • Author(s)
      Mami Fujii
    • Organizer
      The 2009 International Meeting for Future of Electron Device, Kansai.
    • Place of Presentation
      関西大学(大阪府)
    • Year and Date
      2009-05-14

URL: 

Published: 2011-06-16   Modified: 2016-04-21  

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