表面・界面 異なる対称性の接点の物性

1997 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 09NP1201
• Research Institution: Tokyo Institute of Technology
• Principal Investigator: 八木 克道 東京工業大学, 理学部, 教授 (90016072)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 興地 斐男 和歌山工業高等専門学校, 校長 (20029002) ; 新庄 輝也 京都大学, 化学研究所, 教授 (70027043) ; 吉森 昭夫 岡山理科大学, 工学部, 教授 (50013470) ; 塚田 捷 東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授 (90011650) ; 一宮 彪彦 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (00023292)
• Keywords: 表面・界面 / 表面・界面構造 / 表面動的過程 / 表面・界面物性 / シリコン表面 / 金属超格子 / 表面・界面理論 / 第一原理計算

Research Abstract

研究全体の総括を以下のように行った。
◎研究会:昨年度と異なり、班ごとの集まりではなく、構造、動的過程、理論、物性の4回の研究会を評価委員の出席のもとに行い、研究会を必要に応じてサポートした。4回の研究会のアブストラクトをまとめて印刷し、配布した。
◎来年度の国際シンポジウムの開催のプランを作製した。(実行班会議10月)この計画に基づき、会場の確保し、会議録の出版に関してエルゼビアと交渉し、出版の了解を得た。外国人招待者の了解も得た。
◎1月に年度末の研究会を開き、予稿を報告書としてまとめた。その際総括班会議と実行委員会を開催した。総括班会議では、研究進展と関連してトピックスのワークショップを開催することの示唆があり、来年度は水素終端表面とステップのダイナミックスに関するワークショップを研究会に加えて実行することとした。実行班会議では、研究者の移動に伴う班員の交代と新規班員の参加を承認した。
本年度は、X線回析用超高真空排気装置を購入し、これに反射高速電子回析装置(RHEED)および超精密試料回転装置を装着して、半導体表面における極薄膜成長時の基板表面および薄膜における歪み場の測定を開始した。また、極低温冷凍機および冷却デジタルCCDカメラを購入し、高温超伝導体からの直接偏光による光電子放出角度分布の偏光回転角依存性を調べ、その電子状態を明らかにした。これらに加えて、昨年度購入した装置および既存の装置を用いて以下の研究について成果を得た。1)シリコン表面におけるAu吸着構造について、ビームロッキングRHEED法により解析し、高温における新しい相の存在と種々の構造間の共通性を明らかにした。2)回転対陰極型X線発生装置を用いたX線定在波法により、シリコン酸化膜とシリコン界面の界面近傍の格子の乱れの検出に成功し、薄い自然酸化膜と熱酸化膜で格子の乱れに差異があることを明らかにした。3)光電子回析法により、Si(001)表面におけるCs吸着および炭化過程について構造変化の新しい知見を得た。4)マイクロ電子ビームによる表面電気移動の研究では特にSi(001)表面上のInについて移動速度の非常に速い特異な表面電気移動が存在することを見出した。また、InのSi(001)からの熱脱離に関して、熱脱離反応次数および活性化エネルギーを決定した。5)Cu(001)表面上のリチウム吸着過程における構 造変化を低速電子回析強度解析および走査トンネル顕微鏡(STM)により決定した。その表面は置換吸着リチウム原子と単純吸着リチウム原子からなっており、これらの配列によって被覆率による構造変化が説明できることを示した。6)STM探針の制御の研究では[111]方位のW探針の超高真空・高電圧印加によるファセティングを用いて先鋭化することに成功した。これを電界放射源として探針に近接して置かれた結晶表面からの後方散乱電子のエネルギースペクトル計測により、新しい走査プローブ顕微鏡の可能性について新しい知見を得た。7)磁性薄膜の研究では、エピタキシャル多層膜の界面の平滑度および急緩性と磁気抵抗効果との関連を明らかにした。また、特にCo/Cr系において反強磁性結合した垂直磁気異方性を示すことを明らかにした。
本研究計画のおいて主要な研究機器である表面・界面観察用電子顕微鏡について、昨年度購入した本体にエネルギー選別イメージング装置を設計製作して取り付けた。エネルギー分解能2eVの装置である。次年度に多目的試料室を取り付けて完成するが、今年度その詳細な設計を行い、来年度すぐに実行出来るように計画した。その他の主要装置としては、形状制御超格子構造評価のための走査電子顕微鏡、超伝導界面観察用のSTM制御装置を導入した。得られた成果を列挙する。
Si(111)清浄表面でのエレクトロマイグレーションにおける電荷効果をSi-Au共吸着系について電顕観察し、Siの正の有効電荷が負電荷を持つAuとの共存によって負の有効電荷となること、マイグレーションに伴うステップバンチングのメカニズムは両者で変わらないことを見出し、有効電荷の反転のメカニズムを提案した。理論グループでシミュレーションをしている。
吸着誘起ステップバンチングは上記通電効果に列んで表面形態を制御する手法として注目され、電顕で観察した。Cu/Si(111)微斜面の系で、IC相形成に伴うステップバンチングが、Au/Si(001)微斜面で再構成とバンチングに伴うファセット形成を観察した。前者においてはIC相の形成過程が局所マスバランスのメカニズムで説明できる例として初めて見出された。後者においてはバンチングのプロセスを明らかにした。
極低温走査トンネル顕微鏡による電子定在波のシリコン表面で観測した。半導体表面での観察は世界で初めてである。これによってSi(111)√3x√3-Ag表面がフェルミ面を持つ金属的な2次元電子状態を持つことを実証した。
Pb/Si(111)吸着系で200Kでの新しい相転移を見出し、それに伴う伝導異常を見出した。1原子層の構造相転移に伴う伝導異常の観察例はこれまでにない。
Cu/Si(111)とDu/H/Si(111)をMEISで調べ、表面の平坦性を反映して後者でが狭いCuのスペクトルが観察され、Cuのマイグレーションのが容易であることが推論された。
Pt-Ge表面というで貴金属-半導体系で特異な表面合金相5x5構造が出来ることをSTMで見出し、Geの吸着がPtのdバンドを帰るためにNO分子の吸着の選択制が起こること、その上のGe成長膜が絶縁体金属相転移を起こすことを見出した。
超伝導体における界面効果をSTS法で、近接効果を極低温超薄膜伝導測定で明らかにした。
局在表面プラズモン発光を見出した。それを観察するSTM発光測定装置の立ち上げた。
界面構造制御GMRの研究ではST微斜面基盤上での超格子膜っで異方的なGMRを見出した。また、Sn/Cr超格子のメスバウアー測定から、非磁性Sn原子に強い内部磁場があるとを見出し、反強磁性体であるCrがSnに磁気的分極を引き起こすことを初めて見出した。
サブミクロンサイズの磁性体細線を作製する体制を確立し、その物性測定を行えるようにした。非結合型GMRを示す磁性人工格子を細線化し、電気抵抗の測定から磁壁の移動現象を明確に捉えることに成功し、新しい微小磁性観測法の道を切り開いた。
貴金属/Coサンドイッチ膜の垂直磁気異方性が(001)界面より(111)界面が大きく、ミスマッチが大きいほどその絶対値が大きくなることを見出した。
GaAs探針を用いたSTMへの左右の円偏光入射で磁区観察が可能であることを見出した。
第一原理分子動力学法による理論計算の成果としては、以下のものがある。Si(100)表面上のGe置換型吸着機構、水素終端Si(100)表面のダングリングボンド列に形成する原子鎖構造と電子状態を計算した。安定なAs鎖構造で出現する平坦バンドについて、強磁性の可能性が予測された。Si(100)表面上の水分子のクラスター吸着について、水素結合は歪むが切断はされないことが示された。(塚田)平面波基底を用いた分子軌道のポピュレーション解析法を開発した。この方法を用いてCO/Pt(111)の電子状態の解析を行い、ブライホルダーモデルがよく成り立つことをしめした。X/Si(100)(X=H,Br,Cl,I)表面におけるSiX2の脱離によるシリコン表面エッチング機構を研究した。(常行)水素化Si(100)面上のSiアドアトムの吸着と拡散機構を調べた。アドアトムの吸着は水素を置換して行われエネルギー障壁が存在しない。また拡散は複雑なプロセスによることを示した。(押山)フラーレン-アルカリ金属複合クラスター系に対して、炭素ネットワークを考慮して電子構造を計算し、2重ジュリウム球殻模型による電子構造と良く対応する結果を得た。(斎藤)Cu(001)表面のLi吸着系の安定構造を決定し、LEEDによる構造とのよい一致をみた。Al(001)-Na系との対比からCu表面とAl表面の結合形態の定性的違いを明らかにした。(小口)運動エネルギーの実空間差分、ウルトラソフト擬ポテンシャル、逆行列によらない固有関数の規格直交化などの特徴を持つ第一原理分子動力学法におけるオーダーN法の開発を行った。(藤原)
動的モンテカルロシミュレーションの計算結果としては、以下の成果があげられる。Si(100)面欠損ダイマー整列過程とSi(111)面の表面形態変化動力学を,動的モンテカルロシミュレーションを用いて調べた.クレータやSi島の崩壊過程,および穴崩壊に基づくステップバンチング形成過程を説明した.(名取)Si(100)面上のGeのヘテロエピタキシャル成長について,層状成長から3次元島成長が始まるまでの過程を解析し,高温では成長の早い段階から3次元成長に移行することが再現できた。(川村)Si(001)面のダイマーの傾き配列に関する時空構造のゆらぎを調べた。狭いSBテラスについて,ストライプ状の分域形成とそのゆらぎの擬1次元的性格を示した.(中山)
モデルによる解析理論の成果として、以下のものがある。Si(100)吸着のHの昇温脱離について模型を設定し、吸着状態と脱離遷移状態との中間吸着状態を明らかにした。Ru(001)表面吸着PF3の回転状態について、全領域にわたり被覆度依存性を解析した。(吉森)トンネル電流に対する界面の乱れとサイズ効果を調べた。トンネル電流に対してDiffusive散乱の効果が支配的であった。またフェルミ面の形状の効果を調べた。(井上)Dipped Adcluster Model(DAM)法を用いて、銀表面上でのエチレンの部分酸化反応の反応経路とメカニズムを解明した。銀表面上で原子状酸素も活性を持つ事が示された。(中辻)金属表面上の吸着分子の光誘起脱離現象のメカニズムについて吸着分子の脱離軌道を計算した。パルス光エネルギー・パルス幅・侵入長などの依存性を明らかにした。(興地)Si表面に吸着した水素原子と金属表面に吸着したCO分子の赤外スペクトル幅に基づく、振動緩和機構と固有の緩和時間評価法を明らかにした。振動緩和時間よりも短いパルス幅の光を用いたときに重要となるポンプ光とプローブ光のコヒーレントな相互作用の効果について検討した.(上羽)

Research Products

• [Publications] A.Ichimiya,Y.Tanaka: ""Thermal relaxation of silicon islands and craters on silicon surfaces"" Surf.Sci.386. 182-194 (1997)
• [Publications] A.Ichimiya and Y.Ohno: ""Structural analysis of imperfect crystal surfaces by reflection high-energy electron diffraction:Antiphase domains of a Si(111)(√3×√3)-Ag surface"" Surface Review and Letters. 4. 985-990 (1997)
• [Publications] A.Ichimiya,Y.Ohno and Y.Horio: ""Structural analysis of crystal surfaces by reflection high-energy electron diffraction"" Surface Review and Letters. 4. 501-511 (1997)
• [Publications] E.A.Khramtsova and A.Ichimiya: ""Structural study of the Si(111)(√3×√3)R30° -Au surface using one-beam reflectrion high-energy electron diffraction intensity rocking curve analysis"" Jpn J.Appl.Phys.36. L926-L928 (1997)
• [Publications] A.Tanikawa and K.Akimoto: ""Energy-Dispersive grazing Incidence Diffraction with Synchrotron Radiation White X-Rays of Very Thin Polycrystalline Sillicon Films"" Jpn.J.Appl.Phys.36Part1. 5759-5763 (1997)
• [Publications] H.W.Yeom and S.Kono 他9名: ""Existence of a stable intermixing phase for monolayer Ge on Si(001)"" Surf.Sci.381. L533-L539 (1997)
• [Publications] X.Chen S.Kono 他6名: ""Atomic geometry of mixed Ge-Si dimers in the initial stage growth of Ge on Si(001)2x1"" Phys.Rev.B55. R3719-R7322 (1997)
• [Publications] T.Nakatani and H.Daimon 他6名: ""Photoelectron holography of the Si(001)surface"" J.Synchrotron Rad.3. 239-244 (1996)
• [Publications] P.Rennert and H.Daimon 他3名: ""Dichroism in Core Photoelectron Diffraction Spectra of Si(001)inDependence on the Photon Polarization"" J.Phys.Soc.Jpn.66(2). 396-400 (1997)
• [Publications] T.Okuda and H.Daimon 他5名: ""Angle resolved photoelectron spectroscopy of the Si(111)3×1-Na surface"" Phys.Rev.B55. 6762-6765 (1997)
• [Publications] M.Tsunekawa,H.Daimon 他20名: ""High resolution photoemission study of CeRu2Si2"" Solid State Commun.103(12). 659-662 (1997)
• [Publications] T.Matsushita and H.Daimon 他5名: ""Linear and circular dichroism in photoemission angular distribution from the valence band of 1T-TaS2"" Phys.Rev.B56(12). 7687-7693 (1997)
• [Publications] T.Okuda and H.Daimon 他3名: ""Surface electronic structure of ordered alkali-and noble metal overlayers on Si(111)"" Applied Surface Science. 121/122. 89-97 (1997)
• [Publications] H.Jiang,S.Mizuno and H.Tochihara: "Change of adsorption mode from adlayer- to restructuring-type with increasing coverage,evidenced by structural determination of a sequence c(2x2)→(4x4)→(5x5)formed on Ni(001)by Li deposition." Surf.Sci.380. L506-L512 (1997)
• [Publications] H.Jiang,S.Mizuno and H.Tochihara: "Adlayer structure of c(5√2x√2)R 45 formed on Ni(001)by Li adsorption:Hollow-site adsorption or hexagonal arrangement" Surf.Sci.385. L930-L937 (1997)
• [Publications] H.Tochihara: "Complex surface-structures formed by restructuring-type adsorp tion of Li atoms on Cu(001),Cu(110)and Cu(111)." Trends in Vacuum Sicence and Technology. 2. 47-76 (1997)
• [Publications] T.Arai and M.Tomitori: ""Scanning Auger electron microscopy evaluation and composition control of cantilevers for ultrahigh vacuum atomic force imcroscopy"" Jpn.J.Appl.Phys.36Part16B. 3855-3859 (1997)
• [Publications] M.Nagai,M.Tomitori and O.Nishikawa: ""Sharpening processes of scanning tunneling microscopy/scanning tunneling spectroscopy tips by thermal fieldtreatment"" Jpn.J.Appl.Phys.36Part16B. 3844-3849 (1997)
• [Publications] K.Hasebe and M.Tomitori 他3名: ""Titanium distribution on the surface of Ziegler-Natta catalysts observed by scanning Auger elecron microscopy"" J.Molecular Catalysis A:Chemical. 115. 259-263 (1997)
• [Publications] Y.Kamada,M.Matsui and T.Asada: ""Structure and Magnetic Properties of Metastable Ni/bcc-F Multilayers"" J.Phys.Soc.Jpn.66(2). 466-471 (1997)
• [Publications] Y.Kamada and M.Matsui: ""Epitaxial Growth of Ni,Cu on bcc-Fe(001)and Ni on fcc-Au(001)"" J.Phys.Soc.Jpn.66(3). 658-663 (1997)
• [Publications] H.Asano,J.Hayakawa and M.Matsui: ""Two-dimensional ferromagnetic ordering and magnetoresistance in the layered Perovskite La2-2xCal+2xMn2O7"" Phys.Rev.B. 56(9). 5397-5403 (1997)
• [Publications] H.Asano,J.Hayakawa and M.Matsui: ""Magnetoresistance in thin films and bulks of layered-Perovskite La2-2xCal+2xMn2O7"" Appl.Phys.Lett.70(17). 2303-2305 (1997)
• [Publications] H.Minoda.S.Sakamoto and K.Yagi: "In-situ REM observations of surfactant-mediated epitaxy:growth of Ge on Si(111)surfaces mediated by Bi." Surf.Sci.372. 1-8 (1997)
• [Publications] A.V.Latyshev and K.Yagi: "In-situ observations of step dynamics on silicon surface" Proc.EMS. 581-582 (1997)
• [Publications] T.Suzuki and K.Yagi: "REM study of the Si(111)vicinal surface" Surface Review and Letters. 3. 543-549 (1997)
• [Publications] H.Tamura,Y.Tanishiro,H.Minoda and K.Yagi: "Competing effects of current and strain on step structures on Si(001)2×1 studied by REM" Surface Sci. 382. 310-319 (1997)
• [Publications] T.Nagahama.K.Mibu and T.Shinjo: "Magnetization Process and Magnetoresistance of Exchange-Spring Bilayer System" J.Phys.Appl.Phys. (1998)
• [Publications] T.Ono and T.Shinjo: "Anisotropic structure and GMR in Fe/Cr(100)multilayers on SrtiO_3(1100)sabstrate with step terraces" ICMFS'97. 284-285 (1998)
• [Publications] T.Mitsui and N.Yamamoto: "Distribution of Polarized-cathodoluminescence around the Structural Defects in ZnSe/GaAs(001)Studied by Transmission Electron Microscopy" J.Appl.Phys. 81. 7492-7496 (1997)
• [Publications] T.Mitsui and N.Yamamoto: "Distribution of Cathodoluminescence in Triple Quantum Well of ZnCdSe/ZnSe" Jpn.J.Appl.Phys. 36. 2136-2139 (1997)
• [Publications] S.Kaneko,N.Nishida,K.Mochiku and K.Kadowaki: "Scanning Tunneling Spectroscopy of Bi_2Sr_2CaCu_2O_8+δ" Physica C. (1998)
• [Publications] M.Matsumoto,S.Kaneko and N.Nishida: "Electronic States around a Columanr Deefect in d-wave Superconductors" J.Phys.Soc.Jpn. 68. 3211-3218 (1997)
• [Publications] C.-S.Jiang,X.Tong,S.Hasegawa and S.Ino: "Electrical conduction through the Surface-state band of the Si(111)-√21×√21-(Ag+Au)structure" Surface Science. 376. 69-76 (1997)
• [Publications] Z.H.Zhang,S.Hasegawa and S.Ino: "RHEED intensity oscillation during epitaxial growth of Ag on Si(111)sarfaces at low temperature" Phys.Rev.B55. 9983-9989 (1997)
• [Publications] S.Hasegawa,X.Tong,C.-S.Jiang,Y.Nakajima and T.Nagano: "Electrical conduction via surface-state band" Sur.Sci. 386. 322-327 (1997)
• [Publications] Y.Nakajima,S.Takeda,T.Nagano,S.Hasegawa and X.Tong: "Surface electrical conduction due to carrier doping into a surface-state band on Si(111)-√3×√3-Ag." Phys.Rev. B56. 6782-6787 (1997)
• [Publications] K.Fukutani,H.Iwai,H.Yamashita,Y.Murata,S.Hatori and K.Kobayashi: "Interface hydrogen between a Pb overlayer and H.Saturated Si(111)studied by a resonant nuclear reaction." Surface Sci. 377-379. 1010-1014 (1997)
• [Publications] K.Fukutani and Y.Murata: "Photoexcited processes at metal and alloy surfaces:electronic structure and adsorption site." Surface Sci. 390. 164-173 (1997)
• [Publications] S.Iwata,S.Yamashita,and S.Tsunashima: "Perpendicular Magnetic Anisotropy and Magneto-Optical Kerr Spectra of MBE-Grown PtCo Alloy Films." IEEE Trans.Magn. 33. 3670-3672 (1997)
• [Publications] R.Imada,Y.Fujiwara,S.Tsunashima,M.Jimbo and M.Matsuura: "Structure and GMR Effect of Fe/Co and FeCoNi/Cu Multilayers" J.Appl.Phys. 81. 5191-5193 (1997)
• [Publications] Y.Fujiwara,T.Matsui,X.Yu,M.Sakurai,S.Tsunashima,S.Iwata and K.Suzuki: "Structural and Magnetic Anisotropy of Tb-Fe Multilayers." Jpn.J.Appl.Phys. 36. 5097-5102 (1997)
• [Publications] H.Iwano,H.Ikeda,Y.Isobe,S.Zaima and Y.Yasuda: "Electrical properties and interfacial reactions at Co/Si(001)contacts" Abst.of Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications. 15- (1997)
• [Publications] Y.Yasuda,H.Ikeda and S.Saima: "Efects of H-termination on initial oxidation process" Appl.Surf.Sci. 113/114. 579-584 (1997)
• [Publications] M.Okada,T.Shimizu,H.Ikeda,S.Zaima and Y.Yasuda: "The influence of additional atomic hydrogen on the monolayer growth of Ge on Si(100)studied by STM" Appl.Surf.Sci. 113/114. 349-353 (1997)
• [Publications] T.Yasue and T.Koshikawa: "Effect of Hydrogen on Cu Formation on Si(111)" Surf.Sci.377-379. 923-930 (1997)
• [Publications] T.Koshikawa and T.Yasue: "Surface Structure and Hydrogen Termination Effect of Cu/Si(111)" J.Surf.Anal.3. 259-267 (1997)
• [Publications] A.Ikeda,K.Sumitomo,T.Nishioka,T.Yasue,T.Koshikawa and Y.Kido: "Intermixing at Ge/Si(001)interface studied by surface energy loss of medium energy ion scattering" Surf.Sci.385. 200-206 (1997)
• [Publications] K.Yamashita,T.Yasue,T.Koshikawa,A.Ideda and Y.Kido: "High depth resolution analysis of Cu/Si(111) "5×5" structure with medium energy ion scattering" Nucl.Instrum,Meth.B. (1998)
• [Publications] H.Takeshita,Y.Suzuki,H.Akinaga,W.Izutani,T.Katayama,A.toh and K.Tanaka: "Magnetization Process of Nanometer Scaled Cobalt Dots Array Formed on Reconstructed Au(111)Surface" Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 165. 38-41 (1997)
• [Publications] Y.Suzuki,W.Nabhar,and K.Tanaka: "Spin-Polarized STM images by means of optically pumped GaAs tips." Applied Physics Letters. 71. 3153-3155 (1997)
• [Publications] T.Uchiyama and M.Tsukada: "Scanning Tunneling Microscopy Images of Oxygen Adsorption on the Si(001)Surface" Phys.Rev.B55. 9356-9359 (1997)
• [Publications] 矢部 大彦.斉藤 晋: "フラーレン-アルカリ金属複合クラスターの物性" 物性研究. 68-2. 223-233 (1997)
• [Publications] H.Ueba: "Vibrational Relaxation and Pnmp-probe Spectrossopies of 115 Adsorbates on Solid Surfaces" Progress in Surface Science. 55-2. 115-180 (1997)
• [Publications] T.Mii,K.Mokoshi,and N.Shima: "Effects of Coulomb interaction in tunneling current through several energy levels" Jpn.J.Appl.Phys.36. 3796-3798 (1997)
• [Publications] H.Aizawa and S.Tsuneyuki: "Phto-Induced Desorption through Non-Adiabatic Coupling" Surf.Sci.377-379. 61-618 (1997)
• [Publications] A.Ishii and T.Kawamura: "Kinetics of Homoepitaxial Growth on GaAs(100)studied by Two-Component Monte Carlo Simulation" Appl.Surf.Sci.(in press).
• [Publications] N.Kobayashi,K.Hirose and M.Tsukada: "Theoretical Study of Silicon Adatom Transfer from Silicon Surface in Scanning Tunneling Microscopy" Jpn.,J Appl.Phys.36. 3791-3795 (1997)
• [Publications] H.Nakatsuji: "Dipped Adcluster Model for Chemisorption and Reactions" Prog.Surf.Sci.54. 1-68 (1997)
• [Publications] H.Kaji,K.Kakitani and A.Yoshimori: "Hidered rotation of PF3/Ru(001)surface system as a classical gear network" Surface Sci.382. 1-8 (1997)
• [Publications] S.Jeong and A.Oshiyama: "Adsorption and Diffusion of Si Aclatom on Hydrogenated Si(100)surfaces" Phys.Rev.Lett.79. 4425-4428 (1997)
• [Publications] H.Tsuchiura,H.Kasai and A.Okiji: "A Model Calculation for Photo-Stimulated Desorption" J.Phys.Soc.Jpn.66. 2805-2810 (1997)
• [Publications] Y.Yagi,K.Kakitani and A.Yoshimori: "Excitation spectra of incommensurate Li-C hain on Cu(100)surface" Surface Sci. 363. 331-336 (1996)
• [Publications] T.Oguchi and N.Hamada: "Theoretical Study of the Low-Temperature c(2×2)Structure of Li Adsorbed Cu(001)Surface" J.Phys.Soc.Jpn.2751-2757 (1997)
• [Publications] Y.Nakamura,H.Kawai and M.Nakayama: "Influence of defects on the order disorder transition of a Si(001)surface" Physical Review. B55 No.16. 10549-10560 (1997)
• [Publications] H.Itoh,J.Inoue,and S.Maekawa: "Perpendicular electrical transport through a single random interface" Physica. B237-238. 264-266 (1997)
• [Publications] I.Ohsaki and T.Oguchi: "Stability of Alkali-Metal Adsorption on fcc-Metal surfaces:Cu(001)-(2×1)-Li and Al(001)-c(2×2)-Na" J.Phys.Soc.Jpn.(in press.).
• [Publications] 河野省三(共著): "「表面・界面の電子状態」" 丸善, (1997)
• [Publications] 河野省三: "「表面・界面の電子状態」(表面科学シリーズ(4)」" 小間 篤(丸善), (1997)
• [Publications] H.Minoda and K.Yagi: "REM studies of surfactant-mediated epitaxy,Advances in the Understanding of Crystal Growth Mechanism" Eds.T.Nishinaga et al.Elsevier Science B.V, (1997)
• [Publications] 八木克道.山本直紀: "ミクロの世界-物質編" 日本電子顕微鏡学会編学際企画, (1997)
• [Publications] 八木克道.一宮彪彦.川村隆明.河野省三.富取正彦: "「表面の構造」(表面科学シリーズ(3))" 丸善, (1998)
• [Publications] A.Natori: "Step Structures of Si(111)Vicinal Surfaces in "Advances in the Understanding of Crystal Growth Mechanisms"" T.Nishinaga,K.Nishioka,J.Harada,A.Sasaki and H.Takei, 14 (1997)
• [Publications] T.Hoshi and T.Fujiwara: "Frontier in Material Medeling and Design" B.Raj and V.Kumar, 8 (1997)