キャリアのライフタイムとMOSデバイスの界面トラップの相関関係に関する研究

1998 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 10044171
• Research Category: Grant-in-Aid for international Scientific Research
• Section: Joint Research .
• Research Institution: Himeji Institute of Technology
• Principal Investigator: 岸野 正剛 姫路工業大学, 工学部, 教授 (50201455)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 吉田 晴彦 姫路工業大学, 工学部, 助手 (90264837) ; SOHRODER D.K アリゾナ州立大学, 電気工学科, 教授
• Keywords: 局在準位 / 界面トラップ / キャリアライフタイム / 生成ライフタイム / 再結合ライフタイム / ICTS法 / SPV法 / MOSダイオード

Research Abstract

本研究では姫路工業大学で試料作製、ICTS法による局在準位の評価及びZerbst法による生成ライフタイムの評価を、アリゾナ州立大学でSPV法による再結合ライフタイムの評価を行い、局在準位とキャリアライフタイムの相関関係について調べ、以下の結果を得た。
1. 金、白金不純物による局在準位とキャリアライフタイムの相関関係については、金及び白金不純物のドープ量をそれぞれ変えてMOSダイオードを作製し、金及び白金不純物による局在準位と生成及び再結合ライフタイムの相関関係について調べた。その結果、金不純物の方が白金不純物に比べて、生成ライフタイムへの影響が大きいことを明らかにした。
2. 界面トラップとキャリアライフタイムの相関関係については、熱処理によって界面トラップのみを変化させたMOSダイオードを作製し、界面トラップと生成及び再結合ライフタイムの相関関係について調べた。その結果、界面トラップはバルクトラップ同様キャリアライフタイムと定量的な相関関係があることを明らかにした。また、再結合ライフタイムの方が生成ライフタイムに比べて界面トラップの影響が大きく、低密度の界面トラップのわずかな変化に対して再結合ライフタイムが大きく変化することを明らかにした。