1998 Fiscal Year Annual Research Report
| Project/Area Number |
10045053
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for international Scientific Research
|
| Section | University-to-University Cooperative Research |
|---|
| Research Institution | Kanagawa Institute of Technology |
|---|
Principal Investigator |
荻田 陽一郎 神奈川工科大学, 工学部, 教授 (50016549)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
BLADEL Kenne カリフォニア大ローレンスリバモア研究所, 研究部長
今井 健一郎 神奈川工科大学, 工学部, 助手 (00308537)
DORNFELD Dav カリフォニア大バークリー校, 工, 教授
橋本 洋 神奈川工科大学, 工学部, 教授 (10198690)
|
|---|
| Keywords | シェアモード研削 / シリコンウェーハ / 研磨加工変質層 / 研削ホイール / 超音波振動研削 / 鏡面研削 / 鏡面研削ダメージ / 光導電減衰法 |
|---|
| Research Abstract |
1. 4回の調査派遣と1回のlnternational CIAM(Cosortium of lnformation Age Manufactures)Meetingを4名の外国人研究者と国内研究者の参加を得て開催し、本研究の中間発表会(予行集作成)を日本でを行い、次ぎのような成果を得た。
2. (1)研削ホイールを用いた超音波振動複合型シェアモード加工により,大口ウェーハでも研削抵抗の安定化(加工持続性)と軽減効果を同時に得られることを確認した。
(2)研削ホイール(砥石)に代わる工具として,砥粒の分布密度・サイズ・突出し高さ・結晶方位を能動的に設計できる工具を提案し、エキシマレーザにより単結晶ダイヤ表面に直接角柱ポスト(2×2mm□の単結晶ダイヤ表面に,約5×5μm□,高さ約10μmのポスト)を約20μm間隔で作ることができた。これをを用いてウェーハのFly-Cut実験を行った結果,シェアモード加工が可能であることを確認した.また,研削ホイールと同様に超音波振動を複合させた場合の効果を一部明らかにした.
(3) シェアモード研削による加工変質層をDash′s etchを長時間(例12時間)行えば電界放出形走査電子顕微鏡で変質層断面を直接観察できる(変質層深さは約1.1μmと得られた)ことを見いだした。また、鏡面研磨加工変質層をUV光キャリャ励起・電波検出で得られる光導電信号振幅や初期キャリャライフタイムから非接触評価できること、また、その変質層はSC1洗浄で除去できること、その変質層深さは約21nmであることを明らかにした。さらに、電子ビームを用いてサブミクロンの極表面層のトモグラフをうる新しい評価装置の可能性を理論計算的に提案した。
|
-
[Publications] 今井健一郎: "Grinding Force Criteria in Shear-Mode Grinding" The American Society for Precision Engineering. 13th Annual Meeting. 136-139 (1998)
-
[Publications] 橋本洋: "Speculation on Ultrasonic-Assisted Grinding with an Engineered Wheel" Optical Fabriction and Testing. 12 OMB3-1. 20-20 (1998)
-
[Publications] 橋本洋: "Epistemology and Abduction in Shear(Ductile)-mode Grinding of Brittle Materials" The American Society for Precision Engineering. Toppical Meeting. 36-39 (1998)
-
[Publications] 大王宏: "Bi-Surface Photoconductivity Decay Analysis for Polysilicon Back-Sealed Wafers with Thermal Process lnduced Gontamination" Jpn.J.Appl.Phys.37,12A. 623-626 (1998)
-
[Publications] 萩田陽一郎: "PCA Characterization of Residual Subsurface Damage and lts Removal in Silicon Wafer Mirror Polishing" Matterials Research Society,Proc.ChemicalMechniacl Polishing-FUndamentals and Charages-(to be published). (1999)
-
[Publications] 小林謙一: "水素イオン注入Siウェーハ表面層のPCAによる評価" 神奈川工科大学研究報告. 23. 39-43 (1999)
-
[Publications] 黒川昌毅: "鏡面研磨Siウェーハ表面層のパルス光導電振幅による評価" 神奈川工科大学研究報告. 23. 33-38 (1999)
