2000 Fiscal Year Annual Research Report
サブミクロン電位分布測定装置の開発による電子デバイス内の界面剥離・原子輸送の測定
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10305010
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| Research Institution | KYOTO UNIVERSITY |
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Principal Investigator |
大谷 隆一 京都大学, 工学研究科, 教授 (50025946)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
多田 直哉 岡山大学, 工学部, 助教授 (70243053)
北村 隆行 京都大学, 工学研究科, 教授 (20169882)
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| Keywords | 走査型プローブ顕微鏡 / 電位分布測定装置 / 電位場解析 / 微小欠陥 / 微小き裂 |
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| Research Abstract |
1.直流電位差法による多数き裂分布の逆推定に関する電位場解析
き裂まわりの電位場解析を効率的に行なう手法として、き裂電流修正法を提案し、これを用いて3次元的にランダムかつ多数に分布する円形き裂群および2次元分布する貫通き裂群の電位場解析を行なった。また、この結果にもとづいて直流電位差法によるき裂分布の推定手法を提案した。
2.導電性材料の表面直下における微小欠陥の評価
微小領域電流分布測定装置を搭載した走査型プローブ顕微鏡を用いて、試料底面-カンチレバー間に電流を流し、内部欠陥の検出・評価を行なった。理論的検討の特徴は、上記のき裂電流修正法を適用するところにある。実験においては、カンチレバーに流れ込む電流量がカンチレバーと試料との接触状態(接触抵抗等)の変化によって変動することが明らかとなった。その変動を除去あるいは最小化する測定条件を見出すため、接触面積の変動で模擬した電位場の数値解析を行なった。その結果、先端形状を改良した専用のカンチレバーの作成ならびに新しいカンチレバー制御機構を有する機器の開発が必要であるとの結論を得た。
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Research Products
(5 results)
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[Publications] 多田直哉: "Analysis of Direct Current Potential Field around Multiple Spherical Defects"JSME International Journal,Series A,. 43・2. 109-116 (2000)
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[Publications] 多田直哉: "Measurement of Cavities and Evaluation of Creep Damage Parameters"Proc.2000 SEM IX International Congress on Experimental Mechanics . 409-412 (2000)
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[Publications] 坂東正樹: "多端子型直流電位差法による多数き裂の分布評価"日本非破壊検査協会平成12年度春季大会講演概要集. 111-112 (2000)
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[Publications] 多田直哉: "多端子型直流電位差法によるき裂分布の非破壊評価"日本機械学会材料力学部門講演会講演論文集. No.00-19. 317-318 (2000)
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[Publications] 多田直哉: "多数分布き裂型高温疲労損傷の直流電位差法による非破壊定量評価"日本材料学会第38回高温強度シンポジウム前刷集. 60-63 (2000)
