1998 Fiscal Year Annual Research Report
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10355016
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| Research Institution | Shizuoka University |
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Principal Investigator |
畑中 義式 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (60006278)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
富田 康弘 浜松ホトニクス(株)電子管事業部, 研究員
二橋 得明 浜松ホトニクス(株)電子管事業部, 研究員研究リーダー
山下 貴司 浜松ホトニクス(株)中央研究所, 室長(研究職)
青木 徹 静岡大学, 大学院電子科学研究所, 助手 (10283350)
中西 洋一郎 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (00022137)
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| Keywords | 高エネルギー放射線 / 画像検出器 / 集積化 / レーザードーピング / エピタキシャル成長 / CdTe / p-i-n接合 / 電子放出 |
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| Research Abstract |
高純度で結晶性のよい10^9Ωcm以上の高抵抗のCdTeの単結晶を市販のものを入手し,当研究室で開発したプラズマにより生成した水素ラジカルを用いるMOCVDにより150℃という低温でエピタキシャル成長に成功し,これにヨウ素をドープすることにより10^<-2>Ωcmの低抵抗のn型CdTeを成長させた.一方p型はレーザードーピング法によりNa_2Teをドープ原料としてNaをCdTe中に拡散させて,p型のCdTeを作成しp-i-n検出器を作成した.これを持って放射線検出能力を評価したところ2%程度の分解能が室温において得られた.
レーザードーピング法はパターン状にp型を作成することができるため,マスクを用いて,パターンドーピングの実験を行った.これを電子ビームをプローブとして,検査したところ,p-i-n接合がパターン状にできていることがわかり集積化の第一歩が確かめられた.
エキシマレーザーによる表面の清浄化及び電子放出の基礎的研究が進められ,CdTeにおいて100mJ/cm^2のエネルギーで表面が清浄化されることが確かめられ仕事関数の低下のためにセシュームの有効性も確かめられた.
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[Publications] Y.Hatanaka et.al.: "Heavy p-type doping of ZnSe-based II-VI semiconductors" SPIE. 3283. 78-86 (1998)
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[Publications] Y.Hatanaka et.al.: "Heavily doped p-type ZnSe layer formation by excimer laser doping" J.Cryst.Growth. 184/185. 425-428 (1998)
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[Publications] M.Niraula et.al.: "Radical assatied metalorganic chemical vapor deposition of CdTe on GaAs and carrier transport mechanism in CdTe/n-GaAs heterojunction" J. Apple.Phys.83. 2656-2661 (1998)
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[Publications] D.Noda et.al.: "Zn_XCd_<1-X>Te Epitaxial Growth by Remote Plasma Enhanced MOCVD method" Mat.Res.Soc.Symp.Proc.487. 45-49 (1998)
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[Publications] M.Niraula et.al.: "High energy flux detector using CdTe p-i-n layers" Mat.Res.Soc.Symp.Proc.478. 287-292 (1998)
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[Publications] T.Aoki et.al: "Excimer laser doping for p^+-ZnSe layer formation" Proc.of 2nd Inter.Sym.on BLLED. 78-81 (1998)
