1999 Fiscal Year Annual Research Report
イオンビーム誘起エピタキシャル結晶化による絶縁物上シリコンエピタキシャル成長
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10450012
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| Research Institution | Hosei University |
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Principal Investigator |
山本 康博 法政大学, 工学部, 教授 (50139383)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
佐藤 政孝 イオンビーム工学研究所, 助教授 (40215843)
井上 知泰 いわき明星大学, 理工学部, 教授 (60193596)
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| Keywords | ヘテロエピタキシ / CeO_2 / SiGe / SOI / イオンビーム誘起結晶化 / アモルファスシリコン / IBIEC / 界面反応 |
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| Research Abstract |
今年度の研究から得られた成果の概要を以下に列挙する。
1.前年度購入し研究代表者において超高真空蒸着装置に組み込んだ基板冷却ホルダを用いて、CeO_2/Si上にE-gum蒸着によるシリコン層堆積を試み、堆積したシリコンが結晶核を持たない良質の非晶質であることを、反射高速電子線回折(RHEED)パターンのその場観察により確認した。
2.シリコンを堆積した試料に対し、基板温度350℃および400℃において2MeVのGeおよびSiイオンビームを1×10^<16>/cm^2照射し、ラザフォード後方散乱法を用いてイオンビーム誘起エピタキシャル成長(IBIEC)が起こっているかを調査したが、実験条件の範囲内ではIBIECは認められなかった。
3.ヘテロ界面を持つ別の系である、Ge/SiにおいてIBIECが起きるか否かを調査した。すなわち、単結晶Si上にGeを真空蒸着法により堆積しGe/Siの界面に存在するSiO_2やその他の汚染層を除去するとともにSiからSiGeを経てGeへ徐々変化する界面構造を形成するために界面付近にあらかじめGeイオンを注入することで界面のイオンミキシングを行った上でSi/CeO_2系と同様の実験を行った。その結果、Ge/Si系では照射イオンのエネルギーと量を適当に選べばIBIECが進行する可能性を見いだした。
以上より、Si/CeO_2系の界面ではIBIECが認められていないが、Ge/Si系では可能性が見いだされており、Si/CeO_2系においてもIBIECがおこる条件が存在すると思われる。
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Research Products
(1 results)
