1998 Fiscal Year Annual Research Report
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10450128
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Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Research Institution | Osaka Electro-Communication University |
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Principal Investigator |
佐々木 昭夫 大阪電気通信大学, 工学部, 教授 (10025900)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
徳田 崇 日本学術振興会, 特別研究員PD
若原 昭浩 豊橋科学技術大学, 工学部, 助教授 (00230912)
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| Keywords | 量子効果半導体 / 光量子物性 / Ga_<0.5>In_<0.5>P / 自然超格子 |
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| Research Abstract |
本年度実施計画のうち、InAs/GaAs積層量子ドットの作製条件適正化に関しては、GaAs層の適当な厚さは、InAs量子ドットの高さとその2倍の寸法の間であることが確認された。結果については、J.Electronic Materials,Vol.27(1998)427-432にまとめている。超高真空対応走査型顕微鏡の改良に関しては、各種調査の結果、cathodoluminescence型、photoluminescence型があり、各々検出能力、空間分解能について一長一短があり、評価対象の波長が確定次第行なうのが良いことが分かった。
GaInN/GaN、AlGaN/GaNの試料作製に関しては、若原昭裕助教授が分担し、いずれも量子構造を作製するに必要な結晶を作製し得て、発光機能を調べるところである。
以上の課題に並行して、Ga_<0.5>In_<0.5>P/GaAsの発光機能を調べた。当初Ga_<0.5>In_<0.5>P/GaAsには、GaP/InPの一分子層自然形成超格子が存在し、発光機能の増大が期待された。GaPとInPの格子不整合から来る歪のために、圧電効果による電界が発生し、シュタルク閉込め効果によって、発光が抑制されることが明らかとなった。この実験結果は、今後量子構造の半導体による発光機能増大に留意すべき点である重要な知見を得た。
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[Publications] S.Rouvimov,A.Wakahara,A.Sasaki 他7名: "Effects of GaAs-Spacer Strain on Vertical Ordering of Stacked InAs Qauntum Dots in a GaAs Matrix" Journal of Electronic Materials. 27・5. 427-432 (1998)
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[Publications] K.Tsuchida,A.Sasaki T.Tokuda 他7名: "Ordering Dependence of Ga_<0.5>In_<0.5>P Recombination Life Time" Extended Abstracts of Electronic Materials Symp.17. 121-122 (1998)
