1999 Fiscal Year Annual Research Report
ケルビンプローブフォース顕微鏡を用いたデバイス内部の電位分布測定技術の研究
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10450135
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
水谷 孝 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (70273290)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
岸本 茂 名古屋大学, 工学研究科, 助手 (10186215)
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| Keywords | ケルビンプローブフォース顕微鏡 / KFM / 電位分布 / InGaAs HEMT / GaAs MESFET / InAsドット |
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| Research Abstract |
本研究は、ナノメータレベルの高い空間分解能が期待されるケルビンプローブフォース顕微鏡(KFM)を用いた電位分布測定技術を開発することを目的にする。本年度はKFMをInGaAs HEMTに適用するとともに、高感度化・表面準位の抑制を目指して、真空中での測定の可能性について検討した。
主要な結果は以下のとおりである。
1.InGaAs HEMTの電位分布はGaAs HEMTと同様な電位分布を示すこと、ゲート端での電界集中はGaAs MESFETに比べて強いことを示すとともに、この原因が、n+層の有無と関連していることを指摘した。
2.InGaAs HEMTのデバイスシミュレーションを行い、測定結果の妥当性を確認した。
3.真空中のKFM測定では測定系のQ値が高いため探針のバネ定数を大きくする必要があることを示した。
4.InAsドットの電位分布測定に適用して、明瞭な電位像が得られること、InAs領域の電位が他のGaAs領域に較べて高く測定されることを示した。
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[Publications] T.Mizutani: "Measurement of Contact Potential of GaAs/AlGaAs Heterostructure Using Kelvin Probe Force Microscopy"Jpn. J. Appl. Phys.. 38・7A. L767-L769 (1999)
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[Publications] T.Mizutani: "Measurement of Contact Potential of GaAs pn Junction by Kelvin Probe Force Microscopy"Jpn. J. Appl. Phys.. 38・8. 4893-4894 (1999)
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[Publications] H. Niwa: "Measurements of Electroluminescence Intensity Distribution in the Direction of Gate Width of n^+ Self-Aligned Gate GaAs"Jpn. J. Appl. Phys.. 38・3A. 1363-1364 (1999)
