1998 Fiscal Year Annual Research Report
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10555004
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| Research Institution | Kobe University |
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Principal Investigator |
西野 種夫 神戸大学, 工学部, 教授 (60029452)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
渡辺 元之 浜松ホトニクス, システム事業部, 専任部員(研究職)
喜多 隆 神戸大学, 工学部, 助手 (10221186)
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| Keywords | ワイドギャップ半導体 / 変調分光 / 電子ビーム変調 |
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| Research Abstract |
本研究では高密度励起下に置かれたワイドギャップ半導体の(1)有効質量等のバンド構造パラメターやピエゾ電界の発生、(2)価電子帯構造をはじめとした詳細なバンド構造、(3)励起子の状態、(4)不純物状態と結晶欠陥構造の解析を実現するため可視から紫外域まで分光可能な変調分光システムを開発とその解析方法の確立を目的としている。具体的には紫外線レーザと電子線を励起源にもつ超高感度な変調分光装置の開発を行い、発光、吸収、反射の光励起下での変調スペクトルの測定方法を確立し、得られるスペクトルから上記(1)〜(4)の情報を抽出する解析手法を確立したい。平成10年度で達成した内容は以下のとおりである。
(1) 真空紫外分光チャンバーの作製:
真空排気系を有するチャンバーに分光器、レーザ光の導入を行い、反射スペクトル、吸収スペクトルルミネッセンススペクトルによる真空紫外分光の遂行に必要な基礎特性を確認した。またこれらをベースに計測システムの構築を行った。
(2) 光励起による変調分光測定:
試作した装置での変調分光特性を得るため、 レーザによる変調を行い赤外域から真空紫外域にわたる変調反射スペクトル、変調吸収スペクトルを得るのに成功した。
(3) 変調スペクトルの解析:
得られた変調スペクトルから変調信号に含まれるバンドパラメター、バンド構造、励起子、歪み等に関するデータの解析手法を確立した。
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[Publications] N.Tsukada: "Rotational transfer and dynamical bunching of an electron in three coupled guntum dots irduced by a civculaly plorized electric field" Solid State Electron. Vol.42 No.7-8. 1273-1280 (1998)
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[Publications] N.Tsukada: "Laser-induced enhancement of electron tunneling via an excited state in an usymmetric coupled-guntum well" Japanese Journal of Applied Physics. Vol.37 No.5A. 2476-2377 (1998)
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[Publications] S.Abe: "Valence state analysis of Ca and Si in CaSi_2 during CaSi_2-H_2O reaction" Journal of Materials Research. Vol.13 No.5. 1401-1404 (1998)
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[Publications] T.Kita: "Observation of ordered-induced indirect to direct transition in AlGaInP" Proc.Electrone Materials Contexerces(Invited). 40th. 27-27 (1998)
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[Publications] K.Yamashita: "Carrier localization effects in energy up conversion at ordered(AlasGaos)as Inos P/GaAs heterointerface" Journal of Applied Physics. Vol.84 No.1. 359-363 (1998)
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[Publications] T.Kita: "Spin pelarization of exciton luminescence from ordered GaasInasP" Physical Review B. Vol.57 No.24. 15044-15047 (1998)
