1998 Fiscal Year Annual Research Report
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10555006
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Research Institution | Hirosaki University |
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Principal Investigator |
真下 正夫 弘前大学, 理工学部, 教授 (30292139)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
鈴木 裕史 弘前大学, 理工学部, 助教授 (50236022)
宮永 崇史 弘前大学, 理工学部, 助教授 (70209922)
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| Keywords | ホウ素-炭素-窒素系薄膜 / 直接遷移型半導体 / 光・電子半導体デバイス / 単結晶薄膜 / 薄膜成長装置 / 組成制御 |
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| Research Abstract |
本年度は初期の計画に従ってBCN系薄膜の成長装置の設計を行い、部品の調達を行った。装置の組み立ては現在進行中である。
六方晶BCN系材料は直接遷移型半導体の可能性が極めて強く、光・電子半導体デバイスへの応用が期待されている。とりわけグラファイトと等電子数のB_xC_yN_x化合物はこれまでに合成され、比較的良く調べられている。しかし、現状ではそれらの薄膜結晶は低品質であり、そのため物性評価も余り進んでいない。そこで、高品質BCN系薄膜を得るため、自由度と信頼性の高い研究装置の最適設計を行った。そのために、BCN系薄膜材料に関する研究の調査および資料収集を念入りに行った。また、関連研究者とも議論を重ね、完成度の高い設計を心がけた。特に装置の真空排気には配慮し、高排気速度と清浄な真空が得られるターボ分子ポンプ系を選択した。
BCN系薄膜の物性評価についても装置設計と平行して最新評価技術の論文調査および関連研究者との議論や今後の協力打ち合わせを行った。最初はグラファイトバッファー層の高品質化を目標に実験を開始するため、高品質グラファイト基板および成長条件を検討した。高品質グラファイト基板の調達とその上の成長膜の構造解析を中心に品質評価の方法を検討した。次年度のCBN系薄膜成長とその評価に向けて研究を進めている。
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