新III-V族混晶を用いたガリウム砒素基板上長波長半導体レーザ

1999 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 10555105
• Research Institution: Shimane University
• Principal Investigator: 梶川 靖友 島根大学, 総合理工学部, 助教授 (00294364)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 三橋 豊 三菱電機株式会社, 光マイクロ波デバイス開発研究所, グループマネージャー(研究職) ; 永井 豊 三菱電機株式会社, 光マイクロ波デバイス開発研究所, 主幹(研究職) ; 森谷 明弘 島根大学, 総合理工学部, 教授 (70029304)
• Keywords: 化合物半導体 / レーザダイオード / 分子線エピタキシー / 混晶 / 結晶成長 / 光通信 / 光デバイス

Research Abstract

1.GaAs基板上へのTlGaAs成長を試み、Tl組成0.16%程度のTlGaAsが成長できたことをX線回折法により確認した。この結果は、島根大学紀要33(1999)101-108に発表した。
2.InAs基板上へのTlInAs成長を試み、Tl組成0.12%程度のTIInAsが成長できたことをラザフォード後方散乱分析と組み合わせた二次イオン質量分析による元素定量分析により確認した。また、このTlInAsの格子定数はInAsよりも小さいことをX線回折法により発見した。この結果は、第47回応用物理学関係連合講演会で発表予定であるとともに、Jpn.J.Appl.Phys.に投稿中。
3.高温分子線セルを用いてGaAs基板上へのBGaAs成長を行なった。
4.GaAs基板上にMBE成長したAlGaAs/InGaAs/AlGaAsダブルヘテロ接合に関し、成長の各途中段階での成長表面を原子間力顕微鏡で観察し、表面形状と持続性光伝導との関連を調べた。この結果は、J.Cryst.Growth209(2000)440-444に発表した。
5.光学架台上に分光器等の光学系を配置し、波長可変パルスレーザを励起光源とするフォトルミネッセンス分光システムを構築した。
6.半導体ひずみ量子井戸の光学特性(特に偏光異方性)について、スピン軌道分裂バンドを取り入れた多重バンド有効質量近似による計算を行なった。この結果は、J.Appl.Phys.86(1999)5663-5677に発表した。
7.トリエチルボランを用いた有機金属MBE法のためのガス供給制御系および除害システムを導入した。

Research Products

• [Publications] Y.Kajikawa: "Optical@anisotropy@of@(11l)-oriented@strained@guantum-wells@calculated@with@the@effect@of@the@spin-orbit@split-off@band"Journal of Applied Physics. 86. 5663-5677 (1999)
• [Publications] H.Kizuki: "Quasi-persistent@photoconductivity@of@double-heterojunction@pseudomorphic@high-electron-mobility@transistor@epitaxial@waters"Journal of Crystal Growth. 209. 440-444 (2000)
• [Publications] 梶川靖友: "GaAs基板上の長波長帯光通信用レーザの開発に向けたGaAs基板上のTIGaAsのMBE成長の試み"島根大学総合理工学部紀要シリーズA. 33. 101-108 (1999)