2000 Fiscal Year Annual Research Report
新III-V族混晶を用いたガリウム砒素基板上長波長半導体レーザ
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10555105
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| Research Institution | SHIMANE UNIVERSITY |
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Principal Investigator |
梶川 靖友 島根大学, 総合理工学部, 助教授 (00294364)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
三橋 豊 三菱電機株式会社, 高周波光素子事業統括部, グループマネージャー(研究職)
永井 豊 三菱電機株式会社, 高周波光素子事業統括部, 主幹(研究職)
森谷 明弘 島根大学, 総合理工学部, 教授 (70029304)
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| Keywords | 化合物半導体 / レーザダイオード / 分子線エピタキシー / 混晶 / 結晶成長 / 光通信 / 光デバイス |
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| Research Abstract |
1.InAs基板上へのInTlAsの分子線結晶成長を試み、Tl組成0.12%程度のTlGaAsが成長できたことをラザフォード後方散乱分析と組み合わせた二次イオン質量分析による元素定量分析により確認した。また、このInTlAsの格子定数はInAsよりも小さいことをX線回折法により発見した。この結果をJapanese Journal of Applied Physics 40(2001)28-33に発表。
2.GaAs基板上へのGaTlAsの分子線結晶成長を試み、成長温度を150℃まで下げることによりTl組成を2.8%まで増大できることを見いだした。また、このような低温成長における砒素分子線圧力の影響についても調べた。これらの結果を2000年秋季応用物理学会4p-ZA-13、2001年春季応用物理学会29a-G-6および2001年結晶成長/気相成長国際会議で発表。
3.分子線結晶成長装置にガスソースセルをとりつけ、またガス排気用のターボ分子ポンプにインターロック機構をとりつけて、トリエチルボランを用いたBGaAsの有機金属分子線結晶成長を開始した。
4.(110)基板上のひずみ量子井戸における価電子帯の基底状態を、障壁高さの有限性とスピン軌道分裂バンドの影響をとりいれて計算した結果、障壁層におけるスピン軌道分裂バンドが量子井戸の基底状態の波動関数に重大な影響を与えることがわかり、2001年International Conference on Indium Phosphide and Related Materialsで発表。
5.波長可変パルスレーザを励起光源とするフォトルミネッセンス分光システムにおいて、信号検出系に高速デジタルオシロスコープを組み込み、高速パルス信号が取り込めるようにした。
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