1998 Fiscal Year Annual Research Report
次世代強誘電体不揮発性メモリー実用化のための界面還元修飾法の応用
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10555220
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Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Research Institution | Osaka Prefecture University |
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Principal Investigator |
伊藤 太一郎 大阪府立大学, 工学部, 教授 (10081366)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
神澤 公 ローム(株), VLSI研究開発部, 課長
芦田 淳 大阪府立大学, 工学部, 助手 (60231908)
藤村 紀文 大阪府立大学, 工学部, 助教授 (50199361)
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| Keywords | YMnO3 / Y2O3 / 界面還元修飾 / MFIS-FET / トランジスタ型 / 強誘電体不揮発性メモリー |
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| Research Abstract |
次世代トランジスタ型強誘電体不揮発性メモリー(MFIS-FET)実用化のためには低誘電率で小さな分極を持つ強誘電体が必要である.我々はこの候補としてYMnO3を提唱し、様々な研究を行ってきた.しかしながらこの物質をSi上に成長させることは非常に困難で900度程度の温度が必要となる.しかしながらY2O3層をバッファー層に用いることによって結晶化温度が100度以上低下し、膜質も大幅に向上することを見いだした.YMnO3/Y2O3/Si構造のC-V特性は大幅に改善された.
一方この研究の大きな目的である界面還元修飾を行うためのチャンバーも完成し条件出しが始まった.界面還元修飾を行うことによって最適化されたY2O3/Si界面を用いることによって実用化が加速すると期待される.
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[Publications] T.Yoshimura: "Ferroelectric Properties of C-Oriented YMnO3 Thin Films Deposited on SiSubstrate" Applied Phys.Lett.73. 414-417 (1998)
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[Publications] T.Shimura: "Effect of stoicheometry and A-site substitution on the electrical properties of Ferroelectri YMnO3" Jpn Journal of Applied Phys.37. 5280-5284 (1998)
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[Publications] K.Tadanaga: "Preparation and dielectric properties of YMnO3 ferroelectric thin films by so-gel method" J.of Sol-Gel Sci.Tech.13. 903-907 (1998)
