1999 Fiscal Year Annual Research Report
Project/Area Number |
10555229
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Research Institution | Nagaoka University of Technology |
Principal Investigator |
斎藤 秀俊 長岡技術科学大学, 工学部, 助教授 (80250984)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
吉村 功 旭化成工業株式会社, 製品技術研究所, 室長
木下 秀雄 旭化成工業株式会社, 化成品開発技術センター, 副参事
大塩 茂夫 長岡技術科学大学, 工学部, 教務職員 (90160473)
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Keywords | CVD / シナジー / チタニア / アニール / IR / 水酸化チタン / 酸化物膜 / 樹脂 |
Research Abstract |
大気開放型化学気相析出(CVD)法で作製される水酸化物膜は、ゾル-ゲル法の乾燥ゲル体とアルキル基の有無による違いはあるものの構造が類似していると考えられる。本研究では、樹脂基材上に比較的低温で水酸化物膜を形成し、低温ポストアニールでクラックフリー酸化物膜を得る。大気開放型CVD法を用いるとアモルファス水酸化チタン膜を基板加熱温度300℃以下で原料気体温度250℃以下のときに得ることができる。この試料に対して、0.5〜48hアニールを行なうと150℃〜250℃の範囲でアナターゼ結晶になる。結晶はX線回折法で確認することができる程度までの結晶性を有する。プロセス全体を通じて基材温度150℃まで最低限加熱すればアナターゼ膜が得られることを確認した。Ti、OおよびHの組成比を算出したところ、水酸化チタン膜中には水が含まれることがわかった。水は水酸化チタンに比較してTi(OH)_4・nH_2O(n<3)の組成をとる。ポストアニールによる試料の赤外線吸収スペクトル経時変化を求めたところ、ポストアニールによって水はゆっくりと膜の外に排出されることかわかった。比較的に急激な脱水が生じる場合、ポストアニール後の試料はクラックを伴い基材よりはがれた。しかしながらゆっくりと脱水する場合にはクラックを生じることなくアナターゼ多結晶膜を形成した。この多結晶膜は樹脂基材あるいはSi基材上に良好に密着する。
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